| AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 钟林健,邢艳辉,韩军,陈翔,朱启发,范亚明,邓旭光,张宝顺.AlN隔离层生长时间对AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性能的影响[J].发光学报,2014,35(7):830-834. |
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| 作者姓名： | 钟林健 邢艳辉 韩军 陈翔 朱启发 范亚明 邓旭光 张宝顺 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124;
2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61204011, 11204009, 61107026, 61006084); 国家自然科学基金重点基金(U103760); 北京市自然科学基金(4142005)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，在蓝宝石（0001）面上外延不同生长时间AlN隔离层的AlxGa1-xN/AlN/GaN结构的高电子迁移率的晶体管（HEMT），研究了AlN隔离层厚度对HEMT材料电学性能的影响。研究发现采用脉冲法外延（PALE）技术生长AlN隔离层的时间为12 s（1 nm左右）时，HEMT材料的方块电阻最小，电子迁移率为1 500 cm2·V-1·s-1，二维电子气（2DEG）浓度为1.16×1013 cm-2。AFM测试结果表明，一定厚度范围内的AlN隔离层并不会对材料的表面形貌产生重大的影响。HRXRD测试结果表明，AlGaN/AlN/GaN具有好的异质结界面。
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| 关 键 词： | AlN厚度 PALE MOCVD HEMT 电学性能 |
| 收稿时间： | 2014/3/21 |
Influence of Growth Time of AlN Interfacial Layer on Electrical Properties of AlGaN/AlN/GaN HEMT Materials |
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| ZHONG Lin-jian,XING Yan-hui,HAN Jun,CHEN Xiang,ZHU Qi-fa,FAN Ya-ming,DENG Xu-guang,ZHANG Bao-shun.Influence of Growth Time of AlN Interfacial Layer on Electrical Properties of AlGaN/AlN/GaN HEMT Materials[J].Chinese Journal of Luminescence,2014,35(7):830-834. |
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| Authors: | ZHONG Lin-jian XING Yan-hui HAN Jun CHEN Xiang ZHU Qi-fa FAN Ya-ming DENG Xu-guang ZHANG Bao-shun |
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| Institution: | 1. Key Laboratory of Opto-Electronics Technology, College of Electric Information and Control Engineer, Ministry of Education, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China;
2. Suzhou Institute of Nano-Technology and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China |
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| Abstract: | AlGaN/AlN/GaN HEMT structures were grown on sapphire substrate by MOCVD with different AlN growing time, and the influence of AlN thickness on electrical properties was investigated. When AlN growth time is about 12 s corresponding to the AlN thickness of 1~1.5 nm, the sample has the best performance of electrical properties with the lowest sheet resistance of 359 Ω·sq-1, the highest 2DEG concentration of 1.16×1013 cm-2, and a high 2DEG mobility of 1 500 cm2· V-1·s-1. AFM results indicate that AlN layer within a certain thickness range has little influence on the surface morphology. HRXRD results show that AlGaN/AlN/GaN HEMT has a good heterostructure interface. |
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| Keywords: | AlN thickness PALE MOCVD HEMT electrical properties |
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