| 纳米级自旋电子学材料取得重要进展 |
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| 引用本文： | 刘邦贵.纳米级自旋电子学材料取得重要进展[J].物理,2003,32(12):780-782. |
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| 作者姓名： | 刘邦贵 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划 (九七三计划 ) (批准号 :G19990 64 5 0 9)资助项目，国家自然科学基金委员会优秀群体项目 (批准号 :60 0 2 14 0 3 )，中国科学院与英国皇家协会合作项目 |
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| 摘 要： | 因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料，故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视．文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展：通过大规模系统的高精度第一原理计算，作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性，并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料，便于应用于纳米级自旋电子学器件。
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| 关 键 词： | 纳米材料 自旋电子学 闪锌矿结构 砷化锰 电子结构 晶体结构 |
| 修稿时间： | 2003年7月23日 |
High-spin-polarized nano-materials for spintronics |
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| Abstract: | We report on the latest progress of half-metallic ferromagnetic materials compatible with III-V and II-VI semiconductors, which are believed to play key roles in spintronic devices. Using an accurate first-principle density-functional method we find that three of the 3d-transition-metal chalcogenides are excellent half-metallic ferromagnets and would be fabricated as thin film or layer materials with a thickness large enough for future spintronic devices at the nanometer scale. |
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| Keywords: | nano-materials spintronics |
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