| 气体吸附对V掺杂石墨烯电子结构与光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 王梦娟,顾芳,李大林,刘清惓,侯智,张加宏.气体吸附对V掺杂石墨烯电子结构与光学性质的影响[J].原子与分子物理学报,2024,41(5):056001-130. |
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| 作者姓名： | 王梦娟 顾芳 李大林 刘清惓 侯智 张加宏 |
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| 作者单位： | 1. 南京信息工程大学电子与信息工程学院;2. 南京信息工程大学物理与光电工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(41875035,42275143)； |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论(DFT)的广义梯度近似(GGA)，采用第一性原理方法研究了气体分子吸附对V掺杂石墨烯的吸附能、电子结构与光学性质的影响．能带结构计算表明:吸附NO2分子的V掺杂石墨烯的带隙显著增加，从0 e V变为0.368 e V，由金属性转变为半导体特性，而吸附CO与NH3分子的V掺杂石墨烯的带隙则变化很小．三种吸附构型(NO2,CO,NH3)的吸附能分别为-8.499 e V、-2.05 e V和-2.01e V，说明V掺杂石墨烯对NO2气体分子吸附最强．进而计算了本征、V掺杂石墨烯及其吸附NO2分子的光学性质，结果表明:随着V掺杂与吸附NO2气体，石墨烯介电吸收峰值有所增大，介电峰位向低能量区域移动;本征石墨烯仅吸收紫外光，V掺杂石墨烯吸附NO2分子可以明显拓宽光吸收的光谱范围;掺杂与吸附使得石墨烯光电导率显著增强，能在红外与可见光区产生光电流．上述结果表明V掺杂石墨烯吸附NO2后...
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| 关 键 词： | V掺杂石墨烯 第一性原理 气体吸附 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2023/1/4 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/2/3 0:00:00 |
Effects of gas adsorption on electronic structure and optical properties of V-doped graphene |
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| Wang Meng-Juan,Gu Fang,Li Da-Lin,Liu Qing-Quan,Hou Zhi and Zhang Jia-Hong.Effects of gas adsorption on electronic structure and optical properties of V-doped graphene[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2024,41(5):056001-130. |
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| Authors: | Wang Meng-Juan Gu Fang Li Da-Lin Liu Qing-Quan Hou Zhi and Zhang Jia-Hong |
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| Institution: | School of Electronics & Information Engineering, Nanjing University of Information Science & Technology,School of Physics and Optoelectronic Engineering, Nanjing University of Information Science and Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | V-doped graphene first-principles gas adsorption electronic structure optical properties |
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