| 940 nm垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备 |
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| 引用本文： | 潘智鹏,李伟,吕家纲,聂语葳,仲莉,刘素平,马骁宇.940 nm垂直腔面发射激光器单管器件的设计与制备[J].物理学报,2023(11):188-197. |
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| 作者姓名： | 潘智鹏 李伟 吕家纲 聂语葳 仲莉 刘素平 马骁宇 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程研究中心;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:62174154)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 计算了InGaAs/AlGaAs量子阱的激射波长与阱垒厚度的关系,并通过Rsoft软件计算了不同温度下的材料增益特性.计算并分析了渐变层厚度对分布布拉格反射镜(distributed Bragg reflectors,DBRs)势垒尖峰及反射谱的影响,通过传输矩阵理论得到P-DBR和N-DBR的反射谱和相位谱.模拟了垂直腔面发射激光器(vertical surface emitting lasers,VCSEL)结构整体的光场分布,驻波波峰与量子阱位置符合,基于有限元分析模拟了氧化层对电流限制的影响.通过计算光子晶体垂直腔面发射激光器(photonic crystal vertical cavity surface emitting lasers,PC-VCSEL)中不同的模式分布及其品质因子Q,证明该结构可以有效地实现基横模输出.通过光刻、刻蚀、沉积、剥离等半导体工艺成功制备出氧化孔径为22μm的VCSEL和PC-VCSEL,VCSEL的阈值电流为5.2 mA,斜率效率0.67 mW/mA,在不同电流光谱测试中均是明显的多横模输出;PC-VCSEL的阈值电流为6.5 mA,基横模输出...
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 光子晶体垂直腔面发射激光器 基横模 大功率 |
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