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HIRFL注入器高频腔体与高频机的匹配
引用本文:赵建民,苏学明,王世贤,王贤武,杨维青,张智明.HIRFL注入器高频腔体与高频机的匹配[J].强激光与粒子束,2005,17(1):140-144.
作者姓名:赵建民  苏学明  王世贤  王贤武  杨维青  张智明
作者单位:中国科学院,近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院,近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院,近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院,近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院,近代物理研究所,甘肃,兰州,730000;中国科学院,近代物理研究所,甘肃,兰州,730000
基金项目:兰州重离子加速器改造工程项目资助课题
摘    要: 叙述了兰州重离子加速器注入器(SFC)高频系统的200 kW高频机与高频腔体的功率匹配,匹配测量系统的工作原理,以及对匹配系统的改进和完善,并对高频腔体的输入阻抗和耦合电容进行了计算。为提高高频系统的稳定性和可靠性,对影响高频功率传输和D电压提高的问题进行了深入的研究和改进。采用矢量阻抗仪冷态测量腔体匹配阻抗的方法和一些相应的技术和措施,用矢量电压表动态测量功率输出级的相位差,判断D电路是否工作在匹配状态,从而使SFC的D电压由原来的50~65 kV(不稳定)提高到稳定工作的105 kV,改善了SFC的工作状态和保证了SFC的高效运行。

关 键 词:注入器  谐振腔  输入阻抗  功率传输  阻抗匹配  高频电压
文章编号:1001-4322(2005)01-0140-05
收稿时间:2004/4/13
修稿时间:2004年4月13日

Matching for the generator and RF cavity in HIRFL injector
ZHAO Jian-min,SU Xue-ming,WANG Shi-xian,WANG Xian-wu,YANG Wei-qing,ZHANG Zhi-ming.Matching for the generator and RF cavity in HIRFL injector[J].High Power Laser and Particle Beams,2005,17(1):140-144.
Authors:ZHAO Jian-min  SU Xue-ming  WANG Shi-xian  WANG Xian-wu  YANG Wei-qing  ZHANG Zhi-ming
Institution:Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, P.O.Box 31, Lanzhou 730000,China
Abstract:This paper describes power matching of the 200 kW generator and RF cavity of HIRFL Injector RF system, working principle of matching measure system as well as matching system improvement and perfecting.It further calculates the input impedance and coupling capacitor of the RF cavity. In order to enhance the reliability and stability in RF system, the problem of D voltage-enhancement and RF power transmission,etc are researched in depth. The vector impedance meter is used to measure the cavity matching impedance and the vector voltage to dynamically measure the phasing errors of the power output, then that the D circuit is working at the matching stage can be ensured. With the D voltage of SFC raising from 50~65 kV (unstable) to 105 kV (stable), SFC's high efficiency is guaranteed.
Keywords:Injector  Resonance cavity  Input impedance  Power transmit  Impedance matching  RF voltage
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