| Au对GaP接触界面形成及其特性 |
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| 引用本文： | 林秀华.Au对GaP接触界面形成及其特性[J].发光学报,1999,20(4):336-341. |
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| 作者姓名： | 林秀华 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系!福建 厦门３６１００５厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室福建厦门３６１００５ |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金!E97001，厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室资助 |
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| 摘 要： | 借助Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜研究了Ａｕ和ＧａＰ接触体系界面特性的温度依赖性。测量表明，既使在低于４００℃温度下界面反应也会生成少量的Ａｕ－ＧａＰ金属间化合物，它的主要成份是（ＧａＡｕ）Ｈ，Ｇａ２Ａｕ，在较高温度５５０℃合金条件下界面反应生成少量的ＧａＰ化合物表面发生分解，界面反应增增并伴随着快速的原子间互扩散，大量Ｇａ原子向外迁移进入Ａｕ膜复盖层。同时，Ａｕ原子也内扩散进入ＧａＰ表面，Ａｕ－ＧＡ
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| 关 键 词： | 接触 界面反应 金 磷化镓 表面性质 半导体 |
INTERFACE FORMATION AND PROPERTIESIN An CONTACT TO GaP |
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| LIN Xinhua.INTERFACE FORMATION AND PROPERTIESIN An CONTACT TO GaP[J].Chinese Journal of Luminescence,1999,20(4):336-341. |
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| Authors: | LIN Xinhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | An contact to GaP interface reactions XRD spectral surface property |
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