| 0.18 μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 |
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| 引用本文： | 刘张李,胡志远,张正选,邵华,宁冰旭,毕大炜,陈明,邹世昌.0.18 μm MOSFET器件的总剂量辐照效应[J].物理学报,2011,60(11):116103-116103. |
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| 作者姓名： | 刘张李 胡志远 张正选 邵华 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海 200050;
2. 中国科学院研究生院,北京 100039 |
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| 基金项目： | 中国科学院微小卫星重点实验室开放基金资助的课题. |
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| 摘 要： | 对0.18 μm metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET)器件进行γ射线辐照实验,讨论分析器件辐照前后关态漏电流、阈值电压、跨导、栅电流、亚阈值斜率等特性参数的变化,研究深亚微米器件的总剂量效应. 通过在隔离氧化物中引入等效陷阱电荷,三维模拟结果与实验结果符合很好. 深亚微米器件栅氧化层对总剂量辐照不敏感,浅沟槽隔离氧化物是导致器件性能退化的主要因素.
关键词：
总剂量效应
浅沟槽隔离
氧化层陷阱正电荷
MOSFET
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| 关 键 词： | 总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 MOSFET |
| 收稿时间： | 2010-12-13 |
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