| 量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响 |
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| 引用本文： | 陈贵楚,范广涵.量子阱数变化对InGaN/GaN发光二极管瞬态响应的影响[J].发光学报,2013,34(10). |
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| 作者姓名： | 陈贵楚 范广涵 |
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| 作者单位： | 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州510631;肇庆学院物理系,广东肇庆526061
2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目 |
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| 摘 要： | 理论上研究了当InGaN发光二极管(LED)有源区的量子阱数变化时,LED的大信号瞬态响应特性与这种变化的关系.结果来自于LED等效电路模型的SPICE模拟,模型参数的确定通过拟合已测量的LED的实验数据及模拟结果来实现.结果表明,LED光脉冲的上升时间随量子阱数的增加而增加,由3个量子阱构成的有源区是LED的优化结构.
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| 关 键 词： | InGaN LED 电路模型 上升时间 |
Transient Analysis of InGaN/GaN Light-emitting Diode with Varied Quantum Well Number |
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| CHEN Gui-chu
,
FAN Guang-han.Transient Analysis of InGaN/GaN Light-emitting Diode with Varied Quantum Well Number[J].Chinese Journal of Luminescence,2013,34(10). |
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| Authors: | CHEN Gui-chu FAN Guang-han |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN LED circuit model rise time |
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