| 第一性原理研究B掺杂Mn_4Si_7的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 王立,张晋敏,钟义,贺腾,王坤,谢全.第一性原理研究B掺杂Mn_4Si_7的电子结构和光学性质[J].原子与分子物理学报,2020,37(2):296-301. |
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| 作者姓名： | 王立 张晋敏 钟义 贺腾 王坤 谢全 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州大学大数据与信息工程学院 贵州大学新型光电子材料与技术研究所 |
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| 基金项目： | 贵州省自然科学基金(黔科合基础[2018]1028)；贵州大学研究生重点课程(贵大研ZDKC [2015]026)；国家自然科学基金项目(批准号：61264004)；贵州省教育厅“125”重大科技专项项目(批准号：黔教合重大专项字[2012]003)、贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才（2015）4015 ) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及B掺杂Mn_4Si_7的电子结构和光学性质进行理论计算.研究结果表明,未掺杂Mn_4Si_7是间接带隙半导体,其禁带宽度为0.786 eV,B掺杂后其禁带宽度下降为0.723 eV. B掺杂Mn_4Si_7是p型半导体材料.未掺杂Mn_4Si_7在近红外区的吸收系数达到10~5 cm~(-1),B掺杂引起Mn_4Si_7的折射率、吸收系数、反射系数及光电导率增加.
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| 关 键 词： | 第一性原理 掺杂 高锰硅Mn4Si7 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2018/10/9 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/11/1 0:00:00 |
First principles study of electronic structures and optical properties of B doped Mn4Si7 |
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| Wang Li,Zhang Jin-Min,Zhong Yi,He Ten,Wang Kun and Xie Quan.First principles study of electronic structures and optical properties of B doped Mn4Si7[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2020,37(2):296-301. |
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| Authors: | Wang Li Zhang Jin-Min Zhong Yi He Ten Wang Kun and Xie Quan |
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| Abstract: | The electronic structures and optical properties of undoped and B-doped Mn4Si7 were calculated by the first-principles calculation method based on density functional theory. The results show that undoped Mn4Si7 is an indirect band gap semiconductor, and its band gap width is 0.786 eV. The band gap width decreases to 0.723 eV after B doping. B doped Mn4Si7 is a p-type semiconductor material. The absorption coefficient of undoped Mn4Si7 in the near infrared region is 105cm-1. The refractive index, absorption coefficient, reflection coefficient and photoconductivity of Mn4Si7 increase with B doping. |
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| Keywords: | First Principles Doped High Manganese Silicon Mn4Si7 Electronic Structure Optical Properties |
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