| 用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜 |
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| 引用本文： | 张宏,吴艺雄,王智河,周锷猷,任琮欣,江炳尧,牟海川,柳襄怀.用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜[J].低温物理学报,1999,21(4):269-273. |
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| 作者姓名： | 张宏 吴艺雄 王智河 周锷猷 任琮欣 江炳尧 牟海川 柳襄怀 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050
2. 中国科学院离子束开放实验室,上海,200050 |
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| 摘 要： | 用低压ＭＯＣＶＤ多源法在单晶ＹＳＺ和具有双轴取向ＩＢＡＤＹＳＺ的金属基带上沉积了ＹＢＣＯ膜，它们的Ｊｃ（７７．３Ｋ，０Ｔ）分别为～２×１０６Ａ／ｃｍ２和～７×１０４Ａ／ｃｍ２．分析了本试验中的Ｊｃ差别原因．在单晶ＹＳＺ上ＹＢＣＯ高Ｊｃ数值显示了用ＭＯＣＶＤ制备涂层膜导体的潜力
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| 关 键 词： | YBCO 薄膜沉积 MOCVD YSZ衬底 |
YBCO FILMS DEPOSITED ON YSZ BY MOCVD |
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| H.Zhang,Y.X.Wu,Z.H.Wang,E.Y.Zhou,C.X.Ren,B.Y.Jiang,H.C.Mao,X.H.Liu.YBCO FILMS DEPOSITED ON YSZ BY MOCVD[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,1999,21(4):269-273. |
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| Authors: | HZhang YXWu ZHWang EYZhou CXRen BYJiang HCMao XHLiu |
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