| 基于ZnSe/Ag/ZnSe可见区透明导电薄膜 |
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| 引用本文： | 宋春燕,刘星元.基于ZnSe/Ag/ZnSe可见区透明导电薄膜[J].光子学报,2011,40(6):857-859. |
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| 作者姓名： | 宋春燕 刘星元 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春130033;中国科学院研究生院,北京100049
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春,130033 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目，吉林省科技发展计划项目 |
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| 摘 要： | 利用红外光学材料ZnSe和金属Ag在室温下采用电子束蒸发镀膜技术研制了透明导电薄膜ZnSe/Ag/ZnSe,该薄膜的电子浓度为1.208×1020cm-3,电子迁移率和电阻率分别为17.22 cm2 V1s-1和2.867×10-5Ω·cm,功函数达到5.13 eV,在可见区的平均透过率理论模拟值超过80％,而测量结果...
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| 关 键 词： | 透明导电薄膜 ZnSe Ag 功函数 |
Transparent Conducting Film in Visible Region Based on ZnSe/Ag/ZnSe |
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| SONG Chun-yan,LIU Xing-yuan.Transparent Conducting Film in Visible Region Based on ZnSe/Ag/ZnSe[J].Acta Photonica Sinica,2011,40(6):857-859. |
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| Authors: | SONG Chun-yan LIU Xing-yuan |
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