| a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究 |
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| 引用本文： | 王永谦,陈长勇,陈维德,杨富华,刁宏伟,许振嘉,张世斌,孔光临,廖显伯.a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究[J].物理学报,2001,50(12):2418-2422. |
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| 作者姓名： | 王永谦 陈长勇 陈维德 杨富华 刁宏伟 许振嘉 张世斌 孔光临 廖显伯 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083;中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:69976028);国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2000028201)资助的课题. |
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| 摘 要： | 以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究.结果表明a-Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiOx∶H(x≈1.35).经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiOx∶H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同
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| 关 键 词： | a-Si∶O∶H nc-Si 微结构 退火 |
| 收稿时间： | 2001-05-30 |
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