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阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构
引用本文:张敬涛,郭东升,张文琦,徐至展.阈上电离过程中光电子的角分布及其精细结构[J].量子光学学报,2002,8(Z1):14.
作者姓名:张敬涛  郭东升  张文琦  徐至展
作者单位:1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
2. Department Of Physics,Southern University,Louisiana 70813,USA
摘    要:应用非微扰散射理论研究了阈上电离后光电子的角分布,阐明了光电子角分布的精细结构的产生和演化规律,并澄清了对精细结构的不正确的解释.研究表明,光电子角分布的精细结构由复合贝塞儿函数的振荡产生,其中喷射结构的数目为自变量最大值范围内复合贝塞儿函数极值数的两倍;并指出光电子角分布存在尺度定律,该定律确立了激光强度、频率及原子结构能与光电子角分布的关系.这一研究成功解释了若干实验观测.

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