闪烁体Y_2SiO_5:Ce的发光特性 |
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引用本文: | 王文静,丁喜峰,孙鑫,朱二旷,李兴元,张红梅,郭得峰,陈海良.闪烁体Y_2SiO_5:Ce的发光特性[J].光谱学与光谱分析,2016(8):2399-2404. |
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作者姓名: | 王文静 丁喜峰 孙鑫 朱二旷 李兴元 张红梅 郭得峰 陈海良 |
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作者单位: | 1. 燕山大学理学院实验中心,河北 秦皇岛,066004;2. 燕山大学理学院物理系,河北 秦皇岛,066004 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(61505175),河北省自然科学基金项目(E2013203352) |
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摘 要: | Y_2SiO_5:Ce~(3+)(YSO:Ce)具有高密度、不吸潮以及良好的光输出和快速衰减的特性,是一种重要的闪烁材料。研究采用高温固相法制备Y_2SiO_5:Ce~(3+)+0.2%(YSO:Ce)。在低温及室温下,对闪烁体YSO:Ce的时间分辨发射光谱、激发光谱以及衰减曲线进行了测量和分析。YSO:Ce主要有两类发射,一是晶体的缺陷发射,发射中心在320 nm;二是掺杂的Ce~(3+)的5d→4f发射,发射中心在440 nm。只有当激发能量(E_x)大于材料带隙宽度(E_g)时才能够激发出晶体缺陷发射,对应慢速的激发发射过程,且低温时发射强度较大,当温度升高时有温度猝灭,在室温下时间分辨发射光谱中几乎观察不到晶体缺陷发射。对于发射中心位于440 nm Ce~(3+)的5d→4f能级发射,在60~300 nm范围内能够观察到多个激发峰,其中能量小于材料禁带宽度的激发是属于Ce~(3+)5d能级的直接激发带,对应快速的激发发射过程。在低温时能够观测到发光中心位于392和426 nm分立的发射峰,对应Ce~(3+)的5d→4f(~2F_(5/2),~2F_(7/2))的发射。当温度升高到室温时,光谱宽化,无法观测到分立的发射峰。在温度200和300 K时,当激发光的能量大于带隙宽度,衰减曲线有明显的上升沿,说明有能量传递给Ce~(3+)。
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关 键 词: | 闪烁体 稀土离子 硅酸钇 发射光谱 激发光谱 光谱特性 |
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