| 自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题 |
| |
| 引用本文： | 吴晓薇,鲍希茂,郑祥钦,阎锋.自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题[J].物理学报,1994,43(7):1203-1207. |
| |
| 作者姓名： | 吴晓薇 鲍希茂 郑祥钦 阎锋 |
| |
| 作者单位： | 南京大学物理系和固体微结构物理国家重点实验室 |
| |
| 摘 要： | 多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。
关键词：
|
| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光 光谱移动 氧化 |
| 收稿时间： | 1993-05-21 |
THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA SHIFT OF POROUS SILICON BY SPONTANEOUS OXIDATION |
| |
| WU XIAO-WEI,BAO XI-MAO,ZHENG XIANG-QIN and YAN FENG.THE PHOTOLUMINESCENCE SPECTRA SHIFT OF POROUS SILICON BY SPONTANEOUS OXIDATION[J].Acta Physica Sinica,1994,43(7):1203-1207. |
| |
| Authors: | WU XIAO-WEI BAO XI-MAO ZHENG XIANG-QIN and YAN FENG |
| |
| Abstract: | The light-emission of the porous silicon is an indirect recombination process of the excited electron through the surface states. During spontaneous oxidation new surface states are formed which make the photoluminescence spectra shift. |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
