一阶导数光谱法测定阿维菌素B1的含量

用UV－2401 PC紫外分光光度计及光谱工作站（日本岛津）,以1nm狭缝宽度,2nm△λ间隔,在190－400nm波长范围内快速扫描采集阿维菌素B1紫外吸收光谱,拟合一阶导数光谱发现峰顶A252.2,和峰谷A256.8在波长坐标上的位置不受不同制剂干扰。因此认为△A=A252.2-A256.8作阿维菌素B1含量测量的定量分析依据,可以减少误差。通过对系列浓度标准品溶液一阶导数光谱分析,获得标准回归方程c=272.7△A-0.161,相关系数r=0.9996。进一步测定了不同剂制剂中阿维菌素B1的含量和其加样回收率,并获得理想结果。     

用等离子体增强化学汽相沉积方法制备纳米晶粒硅薄膜光致发光

报道用高氢稀释硅烷为反应气源，用等高子体增强化学汽相沉积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积的含有纳米晶粒硅薄膜，未经任何后处理过程，在室温下观察到可见光致发光。将此光发射归因于纳米硅晶粒中的光生载流子在量子尺寸效应下所产生的光子能量高于硅单晶本体能隙，还对发光具有重要影响的一些淀积参数进行了研究。 关键词：     

玻戈留玻夫变换用于哈密顿对角化时的一种简化方法

玻戈留玻夫变换用于哈密顿量对角化时一般须首先直接或间接确定变换矩阵本身，通常比较繁琐本文在将哈密顿形式地写成矩阵之后，将哈密顿量对角化问题转变成其系数矩阵的本征值计算问题，这样不具体计算变换矩阵即可方便地实现对角化．     

自然氧化引起的多孔硅光致发光光谱移动问题

多孔硅发光是激发电子通过表面态间接的复合过程。自然氧化引入新的表面态，改变了表面态的分布，从而引起了多孔硅光致发光光谱的移动。 关键词：