| AlGaInP DH-LED的pn结特性 |
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| 引用本文： | 高丹,梁静秋,梁中翥,田超,秦余欣,王维彪.AlGaInP DH-LED的pn结特性[J].发光学报,2013,34(9):1213-1218. |
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| 作者姓名： | 高丹 梁静秋 梁中翥 田超 秦余欣 王维彪 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,吉林长春130033;中国科学院大学,北京100049
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,吉林长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省科技发展计划，吉林省科技厅项目 |
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| 摘 要： | 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。
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| 关 键 词： | AlGaInP 电压电流特性 pn结 简并半导体 |
pn Junction Characteristic of AlGaInP DH-LED |
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| GAO Dan
,
LIANG Jing-qiu
,
LIANG Zhong-zhu
,
TIAN Chao
,
QIN Yu-xin
,
WANG Wei-biao.pn Junction Characteristic of AlGaInP DH-LED[J].Chinese Journal of Luminescence,2013,34(9):1213-1218. |
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| Authors: | GAO Dan LIANG Jing-qiu LIANG Zhong-zhu TIAN Chao QIN Yu-xin WANG Wei-biao |
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| Institution: | GAO Dan;LIANG Jing-qiu;LIANG Zhong-zhu;TIAN Chao;QIN Yu-xin;WANG Wei-biao;State Key Laboratory of Applied Optics,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Science;University of Chinese Academy of Science; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaInP current-voltage relationship pn junction degenerate semiconducor |
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