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3,3',5,5'-四甲基联苯胺在SnO2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究
引用本文:焦奎,杨涛,牛淑妍.3,3',5,5'-四甲基联苯胺在SnO2:F膜光透电极上的薄层光谱电化学研究[J].中国科学B辑,2004,34(2).
作者姓名:焦奎  杨涛  牛淑妍
作者单位:1. 青岛科技大学化学与分子工程学院,青岛,266042
2. 中国海洋大学化学化工学院,青岛,266003
3. 青岛科技大学化学与分子工程学院,青岛,266042;中国海洋大学化学化工学院,青岛,266003
摘    要:3,3',5,5'-四甲基联苯胺(TMB)在不同pH的B-R缓冲溶液中有不同的电氧化行为.文中以自制的SnO2:F膜光透薄层光谱电化学池对TMB的电氧化性质进行了研究.TMB在pH 2.0至pH<4.0的B-R缓冲溶液中为一步两电子电氧化过程,在pH 4.0~pH<7.0的B-R缓冲溶液中为分步的两个单电子氧化过程,且在pH 6.5时则先为分步的两个单电子过程,随后其氧化产物进一步转化为偶氮化合物.实验中应用了薄层循环伏安法、薄层循环伏安吸收法、薄层恒电位电解吸收光谱法、单电位阶跃计时吸收光谱法、双电位阶跃计时吸收光谱法、单电位阶跃开路弛豫计时吸收光谱法等技术;测得了在各pH值的B-R缓冲溶液中TMB电氧化相应的克式量电位E0',电子转移数n以及有关的化学反应速率常数.

关 键 词:3  3'  5  5'-四甲基联苯胺  SnO2:F膜光透电极  薄层光谱电化学  电氧化
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