全文获取类型
收费全文 | 16198篇 |
免费 | 7730篇 |
国内免费 | 7324篇 |
专业分类
化学 | 9028篇 |
晶体学 | 618篇 |
力学 | 595篇 |
综合类 | 303篇 |
数学 | 420篇 |
物理学 | 20288篇 |
出版年
2024年 | 119篇 |
2023年 | 480篇 |
2022年 | 533篇 |
2021年 | 600篇 |
2020年 | 433篇 |
2019年 | 531篇 |
2018年 | 421篇 |
2017年 | 528篇 |
2016年 | 614篇 |
2015年 | 716篇 |
2014年 | 1705篇 |
2013年 | 1243篇 |
2012年 | 1252篇 |
2011年 | 1407篇 |
2010年 | 1365篇 |
2009年 | 1503篇 |
2008年 | 1581篇 |
2007年 | 1303篇 |
2006年 | 1350篇 |
2005年 | 1324篇 |
2004年 | 1336篇 |
2003年 | 1361篇 |
2002年 | 1140篇 |
2001年 | 1082篇 |
2000年 | 834篇 |
1999年 | 651篇 |
1998年 | 685篇 |
1997年 | 685篇 |
1996年 | 640篇 |
1995年 | 628篇 |
1994年 | 565篇 |
1993年 | 492篇 |
1992年 | 508篇 |
1991年 | 482篇 |
1990年 | 438篇 |
1989年 | 395篇 |
1988年 | 101篇 |
1987年 | 101篇 |
1986年 | 49篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 17篇 |
1982年 | 7篇 |
1981年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 125 毫秒
1.
低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。 相似文献
2.
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺和共掺后CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数和光电导率进行了计算。结果表明:Sc、Ce掺杂CrSi2的晶格常数增大,带隙变小。本征CrSi2的带隙为0.386 eV,Sc、Ce单掺及共掺CrSi2的禁带宽度分别减小至0.245 eV、0.232 eV、0.198 eV,费米能级均向低能区移动进入价带。由于Sc的3d态电子和Ce的4f态电子的影响,Sc、Ce掺杂的CrSi2在导带下方出现了杂质能级。掺杂后的CrSi2介电函数虚部第一介电峰峰值增加且向低能方向移动,说明Sc、Ce掺杂使得CrSi2在低能区的光跃迁强度增强,Sc-Ce共掺时更明显。Sc、Ce掺杂的CrSi2吸收边在低能方向发生红移,在能量大于21.6 eV特别是在位于31.3 eV的较高能量附近,本征CrSi2几乎不吸收光子,Sc单掺和Sc-Ce共掺CrSi2吸收光子的能力有所增强,并在E=31.3 eV附近形成了第二吸收峰。说明掺杂Sc、Ce改善了CrSi2对红外和较高能区光子的吸收。在小于3.91 eV的低能区掺杂后的CrSi2光电导率增加。在20.01 eV<E<34.21 eV时,本征CrSi2光电导率为零,但Sc、Ce掺杂后的体系不为零,掺杂拓宽了CrSi2的光响应范围。研究结果为CrSi2基光电器件的应用与设计提供了理论依据。 相似文献
3.
乳腺癌是当前最常见的恶性肿瘤之一,其电子病历数据可用于挖掘隐含规律,对治疗与预后分析有重要意义。通过与乳腺科医生合作,选择合适的预测模型和可视化方法,搭建了一个基于电子病历的乳腺癌群组和治疗方案可视分析系统。首先,对具有高维属性的病人进行降维和聚类处理,形成病人群组,并采用南丁格尔图、词云和时间轴可视化方法,直观展示病人群组间特征的差异;然后,用支持向量机(support vector machine,SVM)模型预测治疗方案,用平行坐标、矩阵热力图和分类图分别展示属性相关性、训练后的特征权重和预测结果;最后,用真实案例验证了系统在群组分析、治疗方案及病人属性关联分析中的有效性,从而较好地帮助医生选择合适的治疗方案。 相似文献
4.
现有的基于磁共振测量的嗅觉刺激器,通过调节嗅剂液体浓度的方法可以实现不同浓度的嗅觉刺激,但随着实验进行,受到嗅剂挥发以及实验环境(温度、湿度、气流量)变化的影响,很难确保输送至鼻腔的嗅剂气体浓度的稳定性,进而影响实验结果的准确性.本研究对本实验室前期开发的嗅觉刺激装置进行改进,实现了气体浓度精确定量.改进后的嗅觉刺激器主要分为三个部分:控制系统、反馈系统和气路系统.控制系统主要实现气路系统的送气控制和嗅剂气体浓度调节;反馈系统则负责对气体浓度进行测量;气路系统则在原有基础上添加活性炭装置,降低无关因素干扰.装置改进之后,不同气路切换时间为75.2 ms,比原装置减少了1 s,有效提高刺激精度.实验结果显示,气体浓度调节前,300 s内乙醇、吡啶、乙酸戊酯嗅剂气体浓度分别下降6.7%、71.4%、79.2%,嗅剂气体浓度短时间内发生较大改变.加入气体浓度调节功能后,当气体浓度下降至目标浓度的90%时,可通过调节气泵电压改变嗅剂气流与空气气流比例,从而调节嗅剂气体浓度至目标值,其中吡啶、乙酸戊酯用时13 s. 相似文献
5.
硒是动植物及人体生长必需的十五种微量元素之一,具有清除体内自由基、抗氧化、增强免疫力等功能,但其安全剂量的范围却很窄。利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对湿法球磨制备的硫铁矿形貌进行了表征。SEM观测发现加乙醇助磨后的硫铁矿为粒径大小较均匀的球形颗粒团聚体,粒径范围在17~200 nm之间,平均粒径138 nm。XRD衍射图谱中的特征峰与FeS2衍射图谱中各峰位置基本一致,因此判定硫铁矿中主要化学组分为FeS2,且图谱中基本没有杂峰,表明制备过程中并未混入杂质,样品纯度较高。实验结果表明,该法制备的硫铁矿具有颗粒粒径小、比表面积大、反应活性高等优点。研究中利用X射线光电子能谱仪(XPS)对硫铁矿去除水体中SeO2-3的机理进行了研究。研究结果表明, (1)在较为广泛的实验pH范围(pH 2.2~11.5),硫铁矿均能有效去除水体中SeO2-3,去除效率(除pH值7.8以外)均达到90%以上;(2)硫铁矿与SeO2-3发生反应后,其主要组成元素的XPS特征峰结合能有所减小,表明硫铁矿表面发生了一定化学变化;(3)酸碱环境下硫铁矿去除SeO2-3的机理不完全相同,酸性环境下,硫铁矿对SeO2-3的去除是单纯的氧化还原过程,即硫铁矿中被酸活化的S2-2将SeO2-3还原为单质Se(0),并且酸性越强,SeO2-3去除效果越好;碱性环境下,SeO2-3的去除过程中氧化还原与络合反应并存,硫铁矿表面有络合态Fe(OH)SeO3和单质Se(0)两种存在形态,且碱性越强,络合态Fe(OH)SeO3含量越高。以上研究结果为硫铁矿去除固定水体和土壤中以SeO2-3为代表的可变价金属阴离子提供重要理论依据和应用基础。 相似文献
6.
7.
WS2由于其优异的物理和光电性质引起了广泛关注。本研究基于第一性原理计算方法,探索了本征单层WS2及不同浓度W原子替位钇(Y)掺杂WS2的电子结构和光学特性。结果表明本征单层WS2为带隙1.814 eV的直接带隙半导体。进行4%浓度(原子数分数)的Y原子掺杂后,带隙减小为1.508 eV,依旧保持着直接带隙的特性,随着Y掺杂浓度的不断增大,掺杂WS2带隙进一步减小,当浓度达到25%时,能带结构转变为0.658 eV的间接带隙,WS2表现出磁性。适量浓度的掺杂可以提高材料的导电性能,且掺杂浓度增大时,体系依旧保持着透明性并且在红外光和可见光区对光子的吸收能力、材料的介电性能都有着显著提高。本文为WS2二维材料相关光电器件的研究提供了理论依据。 相似文献
8.
以氧化石墨烯(GO)为原料, 利用温和方法制备了3种不同还原程度的部分还原氧化石墨烯pRGO1, pRGO2和pRGO3(pRGO1—3); 利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 拉曼光谱(Raman)、 X 射线光电子能谱(XPS)、 紫外-可见光谱(UV-Vis)、 透射电子显微镜(TEM)和 EDS能谱对其结构和形貌进行了表征. 细胞实验结果表明, 无激光照射下pRGO1—3本身的细胞毒性较低; 近红外(NIR)激光照射下pRGO1—3通过光热和光毒性双重作用杀伤肿瘤细胞. 实验结果显示了pRGO 在肿瘤光热疗法和光动力疗法领域的应用潜力. 相似文献
9.
分子张力作为空间设计的重要组成部分正成为调控有机半导体的重要手段。由于分子内产生的拉伸张力、扭曲/弯曲张力以及空间张力而导致p轨道排布重组和构型构象结构发生变化,最近各种几何与拓扑结构的高张力有机半导体材料相继被报道,这使得高张力有机半导体材料成为有机电子领域研究的焦点。为了进一步梳理分子张力在有机半导体材料中扮演的角色与价值,该综述从分子张力的类型、实验与理论量化以及可视化出发,总结了高张力共轭芳烃的分子设计策略、与其光电性能分子张力之间的关系,以及这类新兴材料在光电领域的应用。最后,对高张力共轭芳烃的研究前景进行了展望,阐述了该类材料所面临的机遇与挑战。 相似文献
10.
本研究探讨3.0T磁共振成像(MRI)结合X线钼靶诊断乳腺恶性肿瘤的价值。采用回顾性研究方法,选取乳腺肿块患者110例162个病灶,给予3.0T MRI及X线钼靶检查。经病理确诊为恶性病变101个;恶性病灶形态不规则、边缘毛刺、时间-信号强度曲线(TIC)类型Ⅲ型和早期增强率≥60%比例明显高于良性病灶(P<0.05),而分叶状比例和表观扩散系数(ADC)值明显低于良性病变(P<0.05);恶性病变X线钼靶表现:形态不规则、钙化、结构不对称和大导管征比例明显高于良性病变(P<0.05);MRI联合X线钼靶诊断乳腺恶性病变的灵敏性、准确性和阴性预测值明显高于MRI诊断(P<0.05)。3.0T MRI检查结合X线钼靶诊断乳腺恶性肿瘤有较好的价值。 相似文献