SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究

应用第一性原理方法研究了SiP化合物的结构和电子特性,并且将研究推广到其他第四族元素磷化物(IV-P).在研究的各种结构中,SiP单斜晶体结构是能量最低、最稳定的结构.SiP的体弹性模量比CN和CP化合物以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小.SiP不同的结构间能发生相变,其单斜晶体结构(monoclinic)在压强为6.2 GPa, 15.0 GPa, 19.3 GPa, 20.0 GPa 和 10.3 GPa时分别转变成GeP型结构、Rhom.型结构、β-InS型结构、 CsCl型结构和NaCl型结构.能带计算结果显示SiP单斜晶体结构(monoclinic)和GaSe型结构是间接带隙分别为1.123 eV 和 0.123 eV的半导体,SiP其他结构则显示出金属特性.其他化学比为1:1的第四族元素磷化物(IV-P)具有相同的性质.     

系统级封装应用中时谐Maxwell方程大规模计算的求解算法:现状与挑战

系统级封装（SiP）是当前电子学系统设计的主流技术途径,数值模拟是进行系统级封装（SiP）设计的主要手段。由于系统级封装应用特有的复杂性,现有的求解时谐Maxwell方程离散系统的算法面临很大的挑战,成为制约该类应用大规模数值模拟效率的瓶颈。本文综述系统级封装应用时谐Maxwell方程解法器求解算法,针对典型实际模型,评估现有算法的现状和面临的挑战,分析应用特征对算法计算能力的影响,并在现有算法的基础上提出一种可行的预条件算法策略。     

Preparation and crystal structure of the Copper Silicon Polyphosphide Cu4SiP8

The new compound Cu₄SiP₈ was prepared by solid state reaction of the elemental components. It crystallizes with a new structure type, which was determined from single-crystal X-ray diffractometer data: I4₁/a, a = 1 218.6(2) pm, c = 573.2(2) pm, Z = 8, R = 0.023 for 970 structure factors and 31 variable parameters. Tetrahedral SiP₄ groups are linked via additional phosphorus atoms to a three-dimensionally infinite silicon phosphorus network, accommodating Cu₂ pairs with octahedral phosphorus coordination as is known for the closely related structure of CuP₂. Using oxidation numbers the compound may be rationalized by the formula (Cu⁺¹)₄Si⁺⁴(P⁰)₄(P^?2)₄ in agreement with the Zintl-Klemm concept.