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1.
基于遗传算法及一阶剪切理论,提出一种弹性地基上加肋板肋条位置优化的无网格方法.首先,通过一系列点来离散平板及肋条,并用弹簧模拟弹性地基,从而得到加肋板的无网格模型;其次,基于一阶剪切理论及移动最小二乘近似原理导出位移场,求出弹性地基加肋板总势能;再次,根据哈密顿原理导出结构的弯曲控制方程,并通过完全转换法处理边界条件;最后,引入遗传算法和改进遗传算法,以肋条的位置为设计变量、弹性地基板的中心点挠度最小值为目标函数,对肋条位置进行优化达到地基板控制点挠度最小的目的.以不同参数、载荷布置形式的弹性地基加肋板为例,与ABAQUS有限元结果及文献解进行比较.研究表明,采用所提出的无网格模型可有效求解弹性地基上加肋板弯曲问题,结果易收敛,同时基于遗传算法与改进混合遗传算法所提出的无网格优化方法均可有效优化弹性地基加肋板肋条位置,后者计算效率相对较高,只进行了三次迭代便可获得稳定的最优解,此外在优化过程中肋条位置改变时只需要重新计算位移转换矩阵,又避免了网格重构. 相似文献
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荒漠地区由于气候干燥,降水稀少,水分常成为制约植被生长的因素之一,水分胁迫对植物长势和产量的影响比任何其他胁迫都要大。随着高光谱技术的发展,国内外已有众多学者利用高光谱数据研究植被遭受胁迫作用,然而这些研究对象多集中于甜菜、棉花、玉米、水稻等作物,针对干旱区盐生植被遭受胁迫作用的研究较少。梭梭作为荒漠、半荒漠地区的典型盐生植被之一,具有极高的经济和生态效益。选择梭梭作为研究对象,培育一年生梭梭,并设置三个水分梯度,形成受不同水分量胁迫的梭梭。使用原始光谱、红边位置参数,结合植被指数及二维相关光谱研究其叶片光谱特征,为干旱区利用高光谱遥感监测盐生植被提供借鉴。结果表明:(1)分析梭梭叶片反射光谱曲线发现,在可见光至中红外各波段范围内,受不同水分量胁迫作用的梭梭叶片光谱反射率有显著差异。在可见光(350~610 nm)波段,各水分处理的梭梭叶片反射率依次为100 mL>500 mL>200 mL,这是由于100和200 mL水分促进梭梭内部叶绿素合成,使该波段反射率降低,而过多的水分(500 mL)对梭梭内部的叶绿素合成没有更大的促进作用。在红光区(611~738 nm),随着水分量的增多,受不同水分量胁迫的梭梭叶片光谱反射率依次减小。在738~1 181和1 228~1 296 nm波段,受不同水分量胁迫作用的梭梭叶片光谱反射率为:200 mL>100 mL>500 mL;在1 182~1 227 nm波段,受不同水分量胁迫作用的梭梭叶片光谱反射率为:100 mL>200 mL>500 mL。这是由于植被细胞结构对近红外区域的反射率影响较大,因而受不同水分胁迫作用的梭梭叶片光谱反射率有显著差异。在1 300~1 365和1 392~1 800 nm波段,受各水分胁迫作用的梭梭叶片反射率为:100 mL>200 mL>500 mL。这表明在500 mL水分胁迫量范围内,水分越多,叶子的细胞液、细胞膜对水分的吸收能力越强,使得反射率下降。通过对原始光谱求取一阶导数并提取红边位置参数发现,各水分处理下的梭梭叶片一阶微分光谱曲线中红边位置未发生移动。这是由于梭梭在长期的干旱环境影响下,形成了特殊的适应机制,水分对其红边位置影响不敏感。(2)选取若干植被指数分析各水分处理下的梭梭光谱指数变化。当水分胁迫量由100 mL增至200 mL时,WI/NDWI,MSI和NDII指数值变化显著,可用于研究水分胁迫下梭梭的光谱特征。(3)使用二维相关光谱技术分析受各水分胁迫作用的梭梭光谱特征,得出在100 mL水分胁迫下,在536,643,1 219和1 653 nm波段处,吸收峰对水分的微扰敏感;在200 mL水分胁迫下,在846和1 083 nm波段处,吸收峰对水分的微扰敏感;在500 mL水分胁迫下,在835和1 067 nm波段处,吸收峰对水分的微扰敏感。总之,在近红外波段,与100 mL水分量相比,梭梭受200和500 mL水分量胁迫时,吸收峰对水分的微扰敏感度上升。由100 mL水分胁迫下梭梭的二维同步相关谱图可知,1 044和1 665 nm,1 072和903 nm,903和1 264 nm,1 230和1 061 nm波段处形成正交叉峰,表明这些波段处光谱强度随水分的干扰同时变化。 相似文献
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在结构中周期性地添加谐振单元可以构造局域共振声子晶体并产生低频禁带。本文提出了一种具有谐振单元和弹性支承谐振单元的声子晶体结构,通过声子晶体理论和振动理论对该结构的禁带特性和禁带调控特性进行了计算与分析。结果表明,该结构可在0 Hz处形成禁带;禁带内对振动的衰减强度由衰减因子和有限结构周期数共同决定;结构中存在1条可调控禁带和3条不可调禁带;可调控禁带可以通过改变谐振单元和弹性支承谐振单元的结构参数加以调控;不可调禁带包括第一禁带,它们能够较为稳定地对一定频率的弹性波产生衰减作用。该结构所具有的禁带特性在管路、桥梁和汽车减振领域具有潜在应用。 相似文献
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宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳化硅(SiC)材料具有热导率高、化学稳定性好、耐高温等优点,在SiC衬底上外延宽禁带半导体材料,对充分发挥宽禁带半导体材料的优势,并提升宽禁带半导体电子器件的性能具有重要意义。得益于SiC衬底质量持续提升及成本不断降低,基于SiC衬底的宽禁带半导体电子市场占比呈现逐年增加的态势。在SiC衬底上外延生长高质量的宽禁带半导体材料是提高宽禁带半导体电子器件性能及可靠性的关键瓶颈。本文综述了近年来国内外研究者们在SiC衬底上外延SiC、氮化镓(GaN)、氧化镓(Ga2O3)所取得的研究进展,并展望了SiC衬底上宽禁带半导体外延的发展及应用前景。 相似文献
7.
极值分布在金融工程、气象工程和其他领域中都有重要用途,本文提出基于极值分布下的混合联合位置与散度模型,通过EM算法给出该模型参数的极大似然估计.最后,通过随机模拟和实例研究说明该模型和方法是有用和有效的. 相似文献
8.
9.
光纤陀螺捷联系统最优多位置对准 总被引:1,自引:0,他引:1
利用把线性时变系统作为分段定常系统来进行可观测性研究的方法,将初始对准的最优多位置法应用于光纤陀螺捷联系统,分析了多位置对准的可观测性,通过仿真说明将多位置法应用于光纤陀螺捷联系统是有效的。 相似文献
10.
地下厂房位置及轴线方向的选择是一项重要的地质工作,本文在分析琅山抽水蓄能电站厂房区工程地质条件的基础上,就厂房位置及其轴线方向的优化选择,进行了分析和研究。 相似文献