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1.
在50 ~ 340 K不同温度下,利用紫色激光(λ=405 nm)对银/铋锶钙铜氧2223异质结界面进行辐照,观测到明显的光生电压效应,发现光生电压的极性分别在超导转变温度TC与320 K附近发生了反转,排除了激光产生的热电势是产生光生电压的原因,分析表明银/铋锶钙铜氧2223异质结界面处存在内建电场:光生电压由异质结界面处的内建电场分离光生电子-空穴对产生的.超导转变温度TC之下以及320 K以上,内建电场方向从超导体指向金属电极;超导转变温度TC与反向温度320 K之间,内建电场从金属指向超导体. 相似文献
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4.
研制了一种适用于平行板传输连接的平面火花隙三电极开关,开关正负电极为半圆形状,触发电极为细条状。将之替代立体式(半球形电极)火花隙三电极开关并应用于爆炸箔起爆装置中,装置回路参数将得以优化。实验测试了空气间隙为4.12, 3.14和2.2 mm的平面火花隙三电极开关的性能。结果表明,在开关间隙间距一定的情况下,随着电压的升高,开关间隙的放电时延和分散时间呈指数降低,开关电感小于15 nH;对于不同范围内的应用电压,使用不同间隙间距的开关,其分散时间不大于10 ns。该开关应用于较低充电电压(小于10 kV)的脉冲功率装置中,与立体式火花隙三电极开关相比,回路电感降低了约50 nH,放电周期缩短近1/3,峰值电流增加约1/3。 相似文献
5.
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Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
8.
ZENG Hao BAI Xingyu RAO Jun 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2004,(1):65-67
When we carry out lower hybrid wave heating and current driving plasma experiment at tokamak, we need mega-watt order of microwave power. The microwave signal at frequency of 2450 MHz is generated by a microwave exciter. According to the experiment's demands, the microwave exciter must provide output power of 1.5~ 2. 5 W with stabilized frequency and amplitude tobe used as the klystron input. Being amplified by the klystron, the microwave signal is transmitted through the transmitting system to the antenna and is emitted into the HL-2A tokamak. So we can see that the microwave exciter's function is very important to the lower hybrid wave heating and current driving plasma experiment. 相似文献
9.
By using the measure of von Neumann entropy, we numerically investigate quantum entanglement of an electron moving in the one-dimensional Harper model and in the one-dimensional slowly varying potential model. The delocalized and localized eigenstates can be distinguished by von Neumann entropy of the individual eigenstates.There are drastic decreases in von Neumann entropy of the individual eigenstates at mobility edges. In the curve of the spectrum averaged von Neumann entropy as a function of potential parameter λ, a sharp transition exists at the metal-insulator transition point λc = 2. It is found that the von Neumann entropy is a good quantity to reflect localization and metal-insulator transition. 相似文献
10.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献