白三叶草花蜜腺的发育解剖学研究

白三叶草花蜜腺突起环状，位于花丝基部并延续至花托上，属于环状花托／雄蕊蜜腺，蜜腺由分泌表皮和产蜜组织组成．在花的发育过程中，蜜腺由本身的原始细胞分裂，分化而来．分泌表皮具角质层，其上分布有变态气孔器，蜜汁经产蜜组织合成后，经变态气孔器泌出．     

Ridit比较方法在儿童智商评价中的应用

§1．引言儿童智商发育是决定将来民族文化素质的一个重要指标，因此如何促进儿童身心健康成长、迅速提高儿童智商能力是妇幼儿童保健工作者研究的重要课题，也是社会各方面和家长们关心的热点．关于儿童智商能力的测定已有比较可行的方法、仪器，也不少评价儿童智商能力的方法．但这些方法其最基本的工具是x2检验法，特点是只能指出影响儿童智商发育的各因素之间有无显著差异，并不能明确指出各因素对儿童智商发育影响的优劣，即不能排序．而且对测定的数据如何处理、分析、评价都没有完善的方法和模型．为此本文认为，利用R＊u比较方法，…     

燃煤烟气中As、Se、Pb的形态分布及S、Cl元素对其形态分布的影响

基于化学热力学平衡分析方法，计算分析了燃煤烟气中重金属As、Se、Pb的形态分布规律，研究了S、Cl等元素对As、Se、Pb的形态分布规律的影响。结果表明，氧化性气氛下，As以As₂O₅、As₄O₆、AsO等氧化物的形式存在；Se主要以SeO₂形式存在；Pb在1000 K以下主要是固态PbSO₄，1200 K以上为气态PbO。还原性气氛下，As在较低温度时为固态As₂S₂，900-1400 K以As₂、AsS、AsN气体共存，2000 K以上全部转化为气态AsO。Se在1100 K以下主要以气态H₂Se存在，1100 K开始生成SeS和Se₂气体，1800 K时主要是气态Se和少量气态SeO；Pb在中低温时主要是PbS，1800 K以上气态Pb为主要存在形态。S在还原性气氛下增大了AsS（g）、PbS（g）、SeS（g）的比例，氧化性气氛下对As、Se、Pb形态分布基本无影响；Cl无论在氧化还是还原气氛下对As、Se影响均较小，但对Pb的形态分布影响较大。     

CID-ICP-AES检测煤中不同形态的硫

研究了CID-ICP-AES检测煤中硫酸盐和硫铁矿形态硫的方法。较现有国标方法快速、简便，常见元素不干扰，加标回收率在98．5％-103．0％之间，10次测定的RSD在0．76％-1．59％之间。     

模拟退火-BP神经网络法测定无机铬的形态

提出了用神经网络方法测定无机铬的形态。在Back Propagation(BP)算法的基础上,吸取了模拟退火算法的优点,解决了BP算法容易陷入局部极小点的问题。经实际样品分析,结果满意。     

基于cDNA宏阵列的系统聚类分析猪发育阶段的基因表达谱

取杜洛克猪胚胎第33,45,55，65．75天的背最长肌样本．用cDNA Macroarray分析方法和聚类分析技术分析了327个EST在骨骼肌内不同发育阶段的基因表达谱．结果表明有98条EST在不同发育时期显著差异表达．第33天和第45天两阶段基因表达状态相似．第55天和第65天基因表达状态相似．而第75天的基因表达与第55天和第65天两个阶段的基因表达具有相近的聚类关系．表达状态相近，基因功能相似的基因大都被聚类在一起．     

计算机模拟织物变形形态的研究现状

介绍了国外计算机图形学界对织物变形形态的研究现状．按建模原理分为几何方法。物理方法及综合方法．     

劳特布尔（Lauterbur，Panl C，1929-）美国化学家（Chemist，America）

核磁共振成像（NMRI）是利用物体在非均匀磁场中不同点处的场强不同，因而在不同点上产生不同的核磁共振频率，共振吸收线的频率分布就对应于共振核的空间分布，藉助于计算机，便可以重建原来的图像。和CT相比，NMRI的优点：一是没有有害的辐射，人体在磁场中不会受到伤害：二是能够对多种病变进行早期诊断。因为病变首先引起人体组织的化学变化，到一定程度才引起形态变化，CT只能检查出组织的形态变化，而NMRI则能发现组织的化学变化。     

聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论