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1.
粘性可压混合层时间稳定性对称紧致差分求解 总被引:2,自引:0,他引:2
基于可压扰动方程组的一阶改型 ,将高精度对称紧致格式引入边值法数值线性稳定性分析。对所获非线性离散特征值问题给出了一个通用形式二阶迭代局部算法 ,实现了时间模式和空间模式的统一求解 ,并将扰动特征值及其特征函数同时得到。据此分析了可压平面自由混合层时间稳定性 ,涉及二维 /三维扰动波、粘性 /无粘扰动波、第一 /第二模态、特征函数、伪特征值谱等。研究表明 ,压缩性效应和粘性效应对最不稳定扰动波数和增长率呈相似的减抑作用 ;在 Mc=1附近 ,从高波数段开始 ,粘性效应可强化二维不稳定扰动波由第一模态向第二模态的过渡 相似文献
2.
混合层强化混合的数值研究 总被引:2,自引:0,他引:2
受 Wang & Fiedler(1997)的实验的启发,采用高阶精度的差分格式,通过数值模拟的方法,研究了二维混合层及限于两平板间的二维混合层(二维受限混合层)入口处加振动对提高混合层混合效率的作用.计算结果表明:对二维混合层,振动的频率越低,在混合层中产生的大尺度涡结构的尺度越大,在频率很低时,涡具有相似性;对限于两平板间的二维混合层,在一定的振动频率下,混合层中产生的涡较大而且破碎得也较好,这将有利于混合.这一结论与 Wang & Fiedler(1997)的实验观测到的结果是一致的. 相似文献
3.
超音速混合层的流动不稳定性较之亚音速或不可压的混合层大大减弱,为了提高混合效率,
通过数值模拟的方法分别研究了展向曲率、展向速度、来流马赫数等因素对混合效率所
起的作用. 计算结果表明:在给定展向速度的情况下,带有展向曲率的三维混合层,曲率越
大三维扰动增长率越大,而且法向的卷起范围也越大. 当展向曲率不为零时,展向速度的增
大也能有效地增强混合能力. 由流场中的高频扰动波产生的涡,在向下游发展过程中会有破
碎、拉伸,低频扰动波没有发现这一现象. 对于有展向曲率和展向速度的混合层,提高来流
马赫数时,流场中最不稳定扰动的增长率仍很大. 因此,这是一种提高混合层混合效率的新
途径. 相似文献
4.
添加聚合物对混合层流场特性影响的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
叙述了适用于粘弹性流体混合层流场的实验装置的设计和研制.采用二维激光多普勒系统对混合层流场进行了测量,得到了平均速度剖面、动量厚度、湍流脉动强度、雷诺应力等一些流场的基本特征量.结果表明,混合层中加入聚合物后流场将有较大的变化,同时也说明本文所研制的实验装置满足实验的要求. 相似文献
5.
6.
本文对空间发展的湍流气固两相平面混合层流动进行了大涡模拟研究,其中气相亚网格尺度(SGS)使用结构函数模型,气相控制方程组采用SIMPLE方法求解,固体颗粒运动用拉格朗日方法计算。计算结果正确重现了流体涡结构的卷起、合并和破碎过程,以及小尺寸颗粒在涡边缘(低涡度区)的局部富集现象。对直径分别为42μm、72μm和135μm分别进行了模拟,并将统计结果和实验测量结果(Hishida et al[1])比较,表明两者的平均速度吻合很好,但颗粒数密度和脉动速度存在较明显的差异,因此有必要对亚网格应力和颗粒之间的耦合作用以及拟序结构的三维性对颗粒运动的影响开展深入研究。 相似文献
7.
8.
Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers. 相似文献
9.
10.