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WangZhenglin MaXinwen 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):96-97
We have investigated fragment emission from molecularions in H2^r collisions between S^q and H2 with incident energies of 12.5, 15.625, 18.75, 21.875, 25, 28.125, 31.25, 34.375, 37.5, 40.625, and 43.75 keV/u, respectively. The energy distributions of the fragments are measured by time-of-flight techniques. The experimental results show evidences for molecular Coulomb explosion and dissociation. A program[1] is estab-lished based on the Monte Carlo technique to simulate the time-of-flight spectrum of fragment ions with different initialkinetic energy in ion-Molecule collisions. Simulations are done for S^2 H2 collisions and compared with experimental results. 相似文献
5.
报道了新合成的二氰基二硫纶·菲咯啉-5,6-二酮合铜(Ⅱ)配合物CuLL′(L=mnt2-, 1,2-dicyano-1,2-ethylenedithiolate; L′=phen-5,6-dione, 1,10-phenanthroline-5,6-dione)的变温磁化率和电子顺磁共振波谱表征结果. 发现微晶粉体型的标题配合物CuLL′具有一定的顺磁性,形成四配位的近似于方形的结构. 探讨了这种配合物磁学特性与结构的关系. 相似文献
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G.A.Gamal M.AbouZied A.A.Ebnalwaled 《中国物理快报》2005,22(6):1530-1532
Single crystals of red Tl2S5 were prepared by a special modified vertical Bridgman and Stockbarger technique.This growth was performed in our laboratory. The influences of temperature on the electrical conductivity, Hall mobility, carrier concentration, and thermoelectric power (TEP) were carried out in the temperature range 277-413K. Throughout these measurements, various physical parameters such as effective mass of charge carriers,carrier mobility, diffusion coefficient, and the relaxation time for both majority and minority carriers were found. 相似文献
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A new method for indirect determination of cetyl-trimethyl ammonium bromide (CTMAB) with NaCl and NH4SCH by floatation and separation of zinc has been studied.The study shows that Zn(Ⅱ) can associate with NH4SCN and CTMAB to form insoluble ternary ion-association complex,and the precipitate can float on the surface of the liquid phase.A good linear relationship is observed between the floatation yield(E%) of Zn(Ⅱ) and the amount of CTMAB.On the ground,CTMAB Can be indirectly determined by determining E% of Zn(Ⅱ).The results were satisfactory. 相似文献
10.
Nd:GdVO4单晶的生长、位错和形貌 总被引:4,自引:1,他引:3
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd:GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。 相似文献