超薄屏蔽层300 V SOI LDMOS抗电离辐射总剂量仿真研究

本文研究了300 V绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在电离辐射总剂量效应下的线性电流退化机理,提出了一种具有超薄屏蔽层的抗辐射结构实现线性电流加固.超薄屏蔽层位于器件场氧化层的下方,旨在阻止P型掺杂层表面发生反型,从而截断表面电流路径,有效抑制线性电流的退化.对于横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,漂移区上的场氧化层中引入的空穴对线性电流的退化起着主导作用.本文基于器件工艺仿真软件,研究器件在辐照前后的电学特性,对超薄屏蔽层的长度、注入能量、横向间距进行优化,给出相应的剂量窗口,在电离辐射总剂量为0—500 krad(Si)的条件下,将最大线性电流增量从传统结构的447%缩减至10%以内,且辐照前后击穿电压均维持在300 V以上.     

多组元化合物晶体生长过程中的双扩散对流现象

针对多组元化合物晶体的Bridgman生长过程,通过对液相区流场和浓度场的数值模拟,研究生长过程中容器内部双扩散对流与组分分布的情况.首先对比了三段场和梯度场炉壁温度设计情况下液相区的流体双扩散对流以及组分分布情况.在此基础上,针对梯度场炉壁温度条件,分析了不同参数的影响.结果表明:在溶质格拉晓夫数较大时,它的增大能够明显地削弱液相区的流体流动,从而使得界面附近的组分分布也产生变化;此外,拉晶速度的增大也能够使得液相区的双扩散对流受到抑制.     

具有P型覆盖层新型超级结横向双扩散功率器件

为了设计功率集成电路所需要的低功耗横向双扩散金属氧化物半导体器件(lateral double-diffused MOSFET), 在已有的N型缓冲层超级结LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构基础上, 提出了一种具有P型覆盖层新型超级结LDMOS结构(P-covered-SJ-LDMOS). 这种结构不但能够消除传统的N沟道SJ-LDMOS由于P型衬底产生的衬底辅助耗尽问题, 使得超级结层的N区和P区的电荷完全补偿, 而且还能利用覆盖层的电荷补偿作用, 提高N型缓冲层浓度, 从而降低了器件的比导通电阻. 利用三维仿真软件ISE分析表明, 在漂移区长度均为10 μm的情况下, P-covered-SJ-LDMOS的比导通电阻较一般SJ-LDMOS结构降低了59%左右, 较文献提出的N型缓冲层 SJ-LDMOS(N-buffered-SJ-LDMOS)结构降低了43%左右.     

温盐双扩散系统对流扩散周期解的线性与非线性稳定性分析

本文对温盐双扩散系统的稳定性问题引入了一种简洁的强非线性自治系统稳定性的分析方法，用摄动理论得到了无穷小运动下线性周期解的单调与振荡分支的存在范围及有限振幅运动下非线性周期解的振荡分支在０＜ｒｓ－ｒｓｃ＜＜１条件下的存在区域及稳定性区域，给出了不同涡旋方向下的稳定性结论．     

温度相关双扩散模型在半无穷柱体上的结构稳定性

该文研究了定义在一个半无穷柱体上的温度相关双扩散模型的简化形式.利用先验估计和加权能量分析法,证明了当边界条件满足一定的约束条件时模型的解随空间变量指数式衰减.利用解的先验界和衰减性结果,得到了解对相互作用系数的结构稳定性.     

考虑Soret和Dufour效应的方腔内双扩散自然对流格子Boltzmann模拟

采用格子Boltzmann方法,考虑Soret和Dufour效应,对内置高浓度发热圆的方腔内部双扩散自然对流现象进行数值模拟.高浓度发热圆位于方腔中心,四周壁面均为低温低浓度.在该模型中,用三个独立的LBGK方程分别模拟速度场、温度场和浓度场,并通过Boussinesq近似将它们耦合起来.分析Soret数和Dufour数对方腔内部双扩散自然对流的影响,得到流线图、等温线图、等浓度线图、发热圆表面平均Nusselt数和平均Sherwood数.结果表明：Soret和Dufour效应对方腔内双扩散自然对流影响明显,不能忽略.     

具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V.     

K F Jensen; E O Einset; D I Fotiadis; 董务民

<正> 1 引言 1.1薄膜沉积技术 把无机薄膜气相母体沉积到固定基体上,是广泛技术应用范围内的一个关键环节.这些技术应用包括制备微电子电路,光记录和磁记录介质,光学器件,以及高性能切割和研磨工具.沉积薄膜的厚度范围从几个纳米(nm),例如量子阱光学器件的活性层,到几十个微米(μm),例如耐磨镀层.生产薄膜时必须能够控制其性质(例如,纯度,组分,厚度,粘附力,晶体结构以及表面形态).此外,沉积不能对基体中已有的微结构有显著的影响.对薄膜的性质的容许限度范围随不同的应用而变,可是,严格的要求是电子和光学材料加工中的特征.在电子和光学材料加工这类应用中,要求的严格程度随集成度的提高、器件尺寸的减小和器件复杂程度的提高等而提高.薄膜厚度的均匀性一般要求很高,以便在穿越每个     

温盐双扩散系统对流扩散的罚函数迎风有限元模拟

对温盐双扩散系统的对流扩散问题采用了罚函数迎风有限元数值方法模拟。该方法具有稳定性好，二阶精度，可直接求解原始方程等优点，并用一个具有横向受热的方腔加以验证。所得定常结果和前人用速度压力法做非定常结果的趋势很吻合。在些基础上，应用该方法对具有横向受热，设置障碍物的方腔中温盐双扩散问题数值计算，得到了温度雷诺数Ｒａ＝１０＾６及热浮力比Ｎ＝１，３，５，７下的流场，温度场和浓度场的情况，考察了Ｎ与障碍物     

求解温盐双扩散系统的一种高精度方法

引入边界拟合坐标系来研究温盐双扩散系统。为了提高求解的精确性 ,对流项采用四阶精度的迎风格式 ,扩散项和涡量方程的浮力项则采用四阶精度的中心差 ,因此本文的方法是高精度的方法。首先针对温度占优( Rρ=0 .32 )和盐度占优 ( Rρ=1 .6 8)的情形进行了验证性计算 ,得到了与前人一致的结果。进一步 ,本文系统给出了不同的盐度通量强度下的流动形态 ,包括对称结构 ,不对称结构 ,反转结构等 ,结果与前人的吻合。