温度和电流对白光LED发光效率的影响

对大功率白光LED发光效率进行了研究,得出温度和电流对LED发光效率的影响:随着温度的升高,势阱中辐射复合几率降低,从而降低了发光效率;电流的升高,使更多的非平衡载流子穿过势垒,降低了发光效率。LED工作时,过高的工作温度或者过大的工作电流都会产生明显的光衰:如果LED工作温度超过芯片的承载温度,这将会使LED的发光效率快速降低,产生明显的光衰,并且对LED造成永久性破坏;如果LED的工作电流超过芯片的饱和电流,也会使LED发光效率快速降低,产生明显的光衰。并且LED所能承载的温度与饱和电流有一定关系,散热良好的装置可以使LED工作温度相对降低些,饱和电流也可以更大,LED也就可以在相对较大的电流下工作。     

Dependence of Thermal Annealing on Transparent Conducting Properties of HoF_3-Doped ZnO Thin Films

A kind of n-type HoF_3-doped zinc oxide-based transparent conductive film has been developed by electron beam evaporation and studied under thermal annealing in air and vacuum at temperatures 100–500℃.Effective substitutional dopings of F to O and Ho to Zn are realized for the films with smooth surface morphology and average grain size of about 50 nm.The hall mobility,electron concentration,resistivity and work function for the asdeposited films are 47.89 cm~2/Vs,1.39×10~(20)cm~(-3),9.37×10~(-4)Ω·cm and 5.069 eV,respectively.In addition,the average transmittance in the visible region(400–700 nm)approximates to 87%.The HoF_3:ZnO films annealed in air and vacuum can retain good optoelectronic properties under 300℃,thereinto,more stable electrical properties can be found in the air-annealed films than in the vacuum-annealed films,which is assumed to be a result of improved nano-crystalline lattice quality.The optimized films for most parameters can be obtained at 200℃ for the air-annealing case and at room temperature for the vacuum annealing case.The advisable optoelectronic properties imply that HoF_3:ZnO can facilitate carrier injection and has promising applications in energy and light sources as transparent electrodes.     

白光微腔有机电致发光器件的结构设计与制备

采用一种宽谱带绿光发光材料,通过两个颜色互补的谐振模式结构设计实现了白光发射的微腔OLED.与普通结构的OLED相比,器件的电致发光效率提高了0.7倍.优化后的白光微腔OLED的色坐标为(0.34,0.33),且颜色不随工作电压变化.进一步改善显色指数性能则需要构建多个模式的微腔结构.     

聚合物前驱体制备具有竹节结构的Si-B-C-N纳米材料及其发光

采用热裂解聚合物前驱体法制备出了具有竹节结构的Si—B-C—N纳米材料。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明样品具有特殊的竹节状(叠杯状)形貌,电子散射能谱(EDX)证实了样品组分为Si、B、C、N。通过微区喇曼光谱仪研究了样品在488nm激光激发下从84—290K的变温发射特性,在490-800nm观察到位于580,620nm附近两个较强发射峰和740nm附近一个弱的发射峰。变温实验说明相应发射峰与材料禁带中形成的杂质能级有关。     

机械球磨对γ-Al2O3纳米颗粒的光致发光的影响

研究了机械球磨对γ-Al₂O₃纳米粉末的光致发光行为的影响。γ-Al₂O₃两个发射峰位于343,378 nm,同时我们观察到一个分布在400~600 nm 宽带发射。我们发现两个发射峰强度随着球磨时间的增加而降低,但宽带发射的强度不发生变化。这些结果证明,两个发射峰是由于类似F⁺心表面缺陷所致,而宽带发射是由于杂质所致。     

白光LED荧光粉涂敷工艺及光学性质

在20mA电流下,对自行设计的白光LED进行测试,发现荧光粉远离芯片封装方法与传统封装方法相比,流明效率提高了20.3%。效率的提高主要是因为减小了LED芯片对荧光粉散射的吸收。同时测得随着正向电流的增加,色坐标x,y的值逐渐减小,色温升高,而光通量呈非线性增加,流明效率逐渐下降。     

磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响

发展了基于稳定金属电极的阴极界面材料,对促进聚合物电致发光器件的产业化进程具有重要意义。侧链含磷酸酯功能基团的聚芴衍生物（PF-EP）是一种极性聚合物中性材料,能溶于乙醇等醇类溶剂,非常适合制备多层溶液加工型发光器件。除此之外,它结合稳定的金属Al电极能实现有效电子注入。本文以PF-EP在绿光聚芴发光器件中的应用为例,详细对比分析了两种基于PF-EP的阴极电极结构（PF-EP/LiF/Al和PF-EP/Al）的器件EL性能。结果显示,PF-EP/LiF/Al阴极结构具有更优异的电子注入能力。基于单电子器件和X射线光电子能谱,本文对这一高效电子注入结构的注入能力和注入机理进行了探讨。     

色坐标对白光LED光通量的影响

研究了在蓝光芯片加黄色荧光粉制备白光LED方法中,色坐标位置对光通量的影响。在同样蓝光功率条件下,我们对标准白光点(色坐标x=0.33±0.05,y=0.33±0.05)附近不同色坐标位置的光通量进行了计算。假设(0.325,0.332)位置流明效率为100 lm/W,计算得出,最大光通量对应的色坐标位置为(0.35,0.38),光通量为112 lm;最小光通量对应的色坐标位置为(0.29,0.28),光通量为93.5 lm。相对于100 lm的变化幅度达到18.5%。通过与实验数据的对比和分析,进一步验证了白光LED光通量随色坐标增大而增加的这一趋势。     

坩埚下降法生长CaF2单晶的研究

采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能.结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带.同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带.     

单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究

采用有机前驱体热解法制备了Al掺杂的单晶Si3N4纳米带,并实现了单晶纳米带Al掺杂浓度的调控。采用SEM、XRD、TEM和HRTEM等对所合成的Al掺杂单晶Si3N4纳米带进行了系统分析和表征。纳米带平均厚度约为几十纳米,平均宽度为几百纳米,具有完整的晶体结构,生长方向为[011],固-液-气-固(SLGS)生长机理。对Al掺杂的纳米带的光学性能进行了初步检测。结果表明:Al掺杂对单晶Si3N4纳米带的光学性能具有显著的影响,通过调节Al掺杂浓度,可以成功实现对纳米带光学性能的调控。