SiC纳米棒的紫外发光研究

采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378 nm（33?eV） 强紫外发射. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错. 利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光. 关键词： 碳化硅 纳米棒 光致发光     

聚合物前驱体制备具有竹节结构的Si-B-C-N纳米材料及其发光

采用热裂解聚合物前驱体法制备出了具有竹节结构的Si—B-C—N纳米材料。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明样品具有特殊的竹节状(叠杯状)形貌,电子散射能谱(EDX)证实了样品组分为Si、B、C、N。通过微区喇曼光谱仪研究了样品在488nm激光激发下从84—290K的变温发射特性,在490-800nm观察到位于580,620nm附近两个较强发射峰和740nm附近一个弱的发射峰。变温实验说明相应发射峰与材料禁带中形成的杂质能级有关。     

ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子隧穿过程

用室温光致发光谱和飞秒脉冲抽运探测方法对不同垒宽的ZnCdSe量子阱/ZnSe/CdSe 量子点新型耦合结构中激子隧穿过程进行研究，观察到激子从量子阱到量子点的快速隧穿过 程.在ZnSe垒宽为10nm, 15nm, 20nm时，测得激子隧穿时间分别为1.8ps, 4.4ps, 39ps. 关键词： ZnCdSe量子阱 CdSe量子点 激子 隧穿     

聚合物前驱体制备层状SiC纳米棒的光学性质

采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解方法制备了SiC纳米棒。透射电镜图表明SiC纳米棒中包含有独特的层状结构,电子能谱表明SiC纳米棒中的C ∶ Si组分比接近1 ∶ 1。用X射线衍射和喇曼光谱表征了SiC纳米棒的结构和成分,层状结构为6H-SiC和3C-SiC交替形成所致。利用光致发光谱在该层状结构中观察到强的紫外发射,认为强而锐的紫外发射峰是来源于厚度比较均一的6H-SiC层。     

YAG及其掺杂纳米粉体的结构与光学特性

由于透明多晶钇铝石榴石(YAG)陶瓷在高功率全固态激光器中巨大的应用价值,所以其研究在近几年引起了广泛的关注。YAG陶瓷与其单晶材料相比,可以实现大尺寸激光晶体,高掺杂浓度,并且制备的成本低。我们报道水热方法制备的纯YAG和硅、铷掺杂YAG陶瓷纳米粉体中掺杂与煅烧温度对陶瓷相组分、晶格参数和晶粒尺寸的影响。通过XRD和透射电子显微镜表征了YAG陶瓷及掺杂粉体的结构及其受到掺杂和烧结的作用,利用光吸收和发射谱研究了共掺杂和煅烧温度对YAG陶瓷粉体光学特性的影响。结果表 Si⁴⁺和Nd³⁺的共掺杂提高了Nd³⁺在YAG纳米体中的可溶度,促进了YAG相的生成,单相纳米Si/Nd:YAG粉体在920℃煅烧温度即可获得。它的光学特性与报道的单晶Nd:YAG一致。     

聚合物前驱体制备氮化硅纳米纤维及其发光

由聚硼硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解得到氮化硅纳米纤维,确定了样品结构为α相,讨论了纳米纤维的生长模式属于气-液-固生长机制。在室温下用488nm激光对样品激发,观察到样品有很宽的强光致发光带,并有两个发光中心,这种强的可见光致发光主要来自氮化硅的内禀Si和N的悬键。测量了纳米纤维的室温吸收光谱,得到氮化硅纳米纤维的光学带隙为4．80eV。     

单晶Si_3N_4纳米带可控Al掺杂研究

采用有机前驱体热解法制备了Al掺杂的单晶Si3N4纳米带,并实现了单晶纳米带Al掺杂浓度的调控。采用SEM、XRD、TEM和HRTEM等对所合成的Al掺杂单晶Si3N4纳米带进行了系统分析和表征。纳米带平均厚度约为几十纳米,平均宽度为几百纳米,具有完整的晶体结构,生长方向为[011],固-液-气-固(SLGS)生长机理。对Al掺杂的纳米带的光学性能进行了初步检测。结果表明:Al掺杂对单晶Si3N4纳米带的光学性能具有显著的影响,通过调节Al掺杂浓度,可以成功实现对纳米带光学性能的调控。