怎样解综合题

同学们在学习中存在的一个重要问题是 ,遇到综合题 ,常常有一种老虎啃天 ,无处下牙的感觉 .那么 ,怎样解综合题呢 ?我们认为应当注意以下三点 .1　要敢想许多同学每当遇到难的综合题 ,往往就被众多的已知条件吓倒了 .一看到综合题 ,首先出现的念头就是 :“我不会” .这个念头一出现 ,就不想再往下做了 ,自己认为自己解不出来 .从心理学上来说 ,这就抑制了自己的思维 ,当然就做不出来了 .反过来 ,换个角度考虑问题 .命题人出题 ,肯定是按照我们的现有认知水平命题 ,不可能出超出我们所学范围的题目 .因此 ,按我们的学习水平 ,我们一定能解出…     

圆锥曲线

1)重点：三种圆锥曲线的定义、标准方程、几何性质(包括范围、轴、顶点、焦点、离心率、准线，对于双曲线还有渐进线)及其应用；直线与圆锥曲线相交弦的中点轨迹问题；待定系数法、运动变化思想、数形结合思想的应用．     

也谈一道高考题

2005年全国高考浙江卷理17(文19)题:已知椭圆的中心在原点,焦点F1,F2在x轴上,长轴A1A2的长为4,左准线l与x轴的交点是M,|MA1|:|A1F1|=2:1.1)求椭圆方程;2)(文)若点P在直线l上运动,求∠F1PF2最大值.(理)若直线l1:x=m(|m|>1),P为l1上的动点,使∠F1PF2的最大的点P记为Q,求点Q的坐标(用m表示).《数学通讯》的文[1]论述了一个来源,一个变式,一种简解,作为文[1]的补充,再说明几个问题.1另几个来源1)米勒问题(世界著名100个数学最值问题的第一个问题):在地球的什么部位,一根垂直的悬杆呈现最长?即在地球的什么部位对悬杆的视角最大.(答案:…     

小朋友学习珠心算

试用飞数法计算517 623 46=73 592 369=4,275 648 736=3,608 4,935 417=648 3,172 5,607=2,935 47,018十2,451=6,138 50,612 9,348=5,072 4,965 38,072=61,735 1,084 17,618=40,612 73,062 51,706= 表格算(左侧每个加数,与横行加数分别相加并把和写上):第三章 减法第一节 不借位减法一、什么是减法 已知两个加数的和与一个加数,求另一个加数是多少的运算,我们称作减法。     

小朋友学习珠心算

认字: 4的 ]3门 13}的14} _‘}替_气} ---二-}数-=-} 吕‘J,州 2的 替 数 替 数 替数 ﹃||!习 如四、减数是5吟 门O门1门 10}的11}的12} _气!替_,}替_,} 一示」数一念」数一幸J 卜规律:减数是5,看被减数本个数的替数。 乌‘ 笔算: 1 4 111 3 1 0 1 2 1 4 10 一5一5一5一5一5一5‘5 1 3 1 4 1 0 1 3 1 1 1 4 12 一5~5一5一5一5一5一5 1 0 1 3 1 2 1 1 1 2 1 8 14 一5一5一5一5一5一5一5 一5一5一5一5 0l 一5一5 56 2 34 5一5一5 78一9 一至琴琴﹂一巧一王贾苏今山 如:11一5二6 匕+SJ 替数 个+5 替数 l1 14一5二9 11一5二 13一5二 12~5二 10…     

圆锥曲线的一组美妙轨迹

笔者最近对圆锥曲线作了些研究，得到了二组有趣而又美妙的轨迹．现说明如下，与读者共享．     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

Effect of Incident Intensity on Films Growth in Pulsed Laser Deposition

Incident intensity, defined by the amount of particles deposited per pulse, is an important parameter in the film growth process of pulsed laser deposition （PLD）. Different from previous models, we investigate the irreversible and reversible growth processes by using a kinetic Monte Carlo method and find that island density and film morphology strongly depend on pulse intensity. At higher pulse intensities, lots of adatoms instantaneously diffuse on the substrate surface, and then nucleation easily occurs between the moving adatoms resulting in more smaller-size islands. In contrast, at the lower pulse intensities, nucleation event occurs preferentially between the single adatom and existing islands rather than forming new islands, and therefore the average island size becomes larger in this case. Additionally, our results show that substrate temperature plays an important role in film growth. In particular, it can determine the films shape and weaken the effect of pulse intensity on film growth at the lower temperatures by controlling the mobility rate of atoms. Our results can match the related theoretical and experimental results.     

Isoscalar Giant Resonances of ^120Sn in the Quasiparticle Relativistic Random Phase Approximation

The quasiparticle relativistic random phase approximationmean field ground state in the response function formalism(QRRPA) is formulated based on the relativistic The pairing correlations are taken into accountin the Bardeen-Cooper-Schrieffer approximation with a constant pairing gap. The numerical calculations are performed in the case of various isoscalar giant resonances of nucleus ^120Sn with parameter set NL3. The calculated results show that the QRRPA approach could satisfactorily reproduce the experimental data of the energies of low-lying states.     

改进的本征态展开方法求解含时薛定谔方程

本改进了原有的本征态展开方法。通过从能量E到q=（2E）的平方根的表象变换，不仅准确地计算了在此方法中起重要作用的低能电子布居，而且大幅度地减少了计算时间。利用这个高效的方法，我们计算了在强激光作用下一个模型原子的高次谐波发射谱。