排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
2.
H2,HF分子的基态势能函数 总被引:1,自引:0,他引:1
通过二次组态相互作用方法QCISD计算了H2,HF分子基态的平衡结构、振动频率和离解能.并使用基组6-311++G(3df,3pd)对H2分子,HF分子基态进行了单点能扫描计算,采用最小二乘法拟合标准Murrell—Sorbie函数得到了相应的势能函数和与该基组相对应的光谱常数(ωe,ωe,χe,βe,ae),计算结果与实验数据吻合. 相似文献
3.
电子相关耦合族方法CCSD(T)和QCISD(T)以及基组6—311++G**和cc—pvdz是目前最可靠的单参考组态方法。利用其对TF分子的基态进行优化计算,使优化的平衡间距分别为0.091599872nm,0.091971495nm,0.091623623nm,0.091978183nm。它们与实验值0.091760000nm基本吻合,误差小于0.00022。采用标准Murrell—Sorbie函数进行非线性最小二乘法拟合,得到了TF分子势能函数的解析表达式。这样计算所得的力常数及光谱常数与实验数据符合得相当好。 相似文献
4.
基于小波分析的指数衰减信号高斯脉冲成形滤波器,可以进一步表示为高斯函数及其导数的线性组合.以高斯函数及其导数的递归近似实现算法为基础,研究了基于小波分析的指数衰减信号高斯脉冲成形的递归近似实现算法.仿真指数衰减信号和实际采样指数衰减信号的高斯脉冲成形表明,递归近似高斯脉冲成形与直接卷积高斯脉冲成形符合得非常好,体现了基于小波分析的高斯脉冲成形的特点.研究成果为进一步研究高斯脉冲成形在数字芯片上的实现提供了必要的数字算法基础.
关键词:
高斯脉冲成形
递归实现
小波分析 相似文献
5.
TF分子基态(X1∑+)势能函数 总被引:1,自引:0,他引:1
电子相关耦合族方法CCSD(T)和QCISD(T)以及基组6-311 G * * 和cc-pvdz是目前最可靠的单参考组态方法.利用其对TF分子的基态进行优化计算,使优化的平衡间距分别为0.091 599 872 nm,0.091 971 495 nm, 0.091 623 623 nm,0.091 978 183 nm.它们与实验值0.091 760 000 nm基本吻合,误差小于0.000 22.采用标准Murrell-Sorbie函数进行非线性最小二乘法拟合,得到了TF分子势能函数的解析表达式.这样计算所得的力常数及光谱常数与实验数据符合得相当好. 相似文献
1