一氧化硅电致激发光谱理论研究

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.     

密度泛函方法对SiO分子基态(X 1 Σ+)势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95**,6-311G,6-311 + + G,6-311 + + G**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进行单点能扫描,用正规方程组拟合SiO分子基态(X 1 Σ+)的Murrell-Sorbie函数,得到解析势能曲线.最后,由得到的解析势能函数计算了相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),并与实验值进行了比较.     

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n（n=1—5）.研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发. 关键词： 2')" href="#">SiO₂ 激发态 外电场     

修理工可延误休假且部件不能修复如新的温贮备可修系统

考虑了温贮备可修系统的一个新模型,该模型引入了修理工可延误休假这一概念,同时假设系统不能修复如新. 在假定部件的工作时间、贮备时间以及修理时间、修理工的休假时间、延误休假时间分布的前提下,利用补充变量法和广义马尔可夫过程法,建立了各状态概率的微积分方程,得到了系统的一些重要可靠性指标;最后给出了仅考虑修理工可多重休假这种特殊情形下系统的稳态指标.     

密度泛函方法对SiO分子基态（X 1Σ+）势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95^**,6-311G,6-311++G,6-311++G^**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进 关键词： B3P86 SiO 势能函数 光谱常数     

The theoretical study on the potential energy curves for X^1 ∑^＋, A^1 ⅡI and C^1 ∑^- states of SiO molecule

This paper applies the symmetry-aziapted-cluster/symmetry-adapted-cluster configuration-interaction （SAC/SACCI） method to optimize the structures for X^1∑^＋, A^1 Ⅱ and C^1 ∑^- states of SiO molecule with the basis sets D95＋＋, 6-311＋＋G and 6-311＋＋G^＊＊. Comparing the obtained results with the experiments, it gets the conclusion that the basis set 6-311＋＋G^＊＊ is most suitable for the optimal structure calculations of X^1.∑^＋, A^Ⅱ and C^1∑^- states of SiO molecule. The whole potential energy curves for these electronic states are further scanned by using SAC/6-311＋＋G^＊＊ method for the ground state and SAC-CI/6-311＋＋G^＊＊ method for the excited states, then use a least square method to fit Murrell~Sorbie functions, at last the spectroscopic constants and force constants are calculated, which are in good agreement with the experimental data.     

一氧化硅电致激发光谱理论研究

采用含时密度泛函（Time-dependent density functional theory）TDDFT/6-311++g（d,p）方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移,该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.     

聚四氟乙烯真空摩擦学性能的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟的方法研究聚四氟乙烯(PTFE)和铁滑动模型在不同真空度下的摩擦学性能，从原子尺度揭示聚四氟乙烯在不同真空度下的摩擦磨损机理.模拟结果表明，随着真空度的增加，摩擦系数逐渐降低，磨损率增加.通过分析径向分布函数(RDF)、原子相对浓度、摩擦界面温度和原子运动速度等的变化，发现真空度升高，更多的聚四氟乙烯分子链吸附在铁原子层表面，使得相互作用增强，摩擦界面温度升高，原子运动速度加快，在滑动过程中更多的聚四氟乙烯分子黏附在铁原子表面，导致磨损量也增大.利用空间环境地面模拟装置考察了PTFE在不同真空度下的摩擦磨损性能，从而验证了分子动力学模拟计算结果的可靠性.