一种白光有机电致发光器件的制备

通过对器件结构的优化设计，提高了白光电致发光器件中蓝光成分的发光效率，从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件。驱动电压为5V时，电流密度J=0．5mA／cm^2，器件的效率达到最大，流明效率为1．92 lm／W，此时器件的发光亮度接近20cd／m^2。色坐标为(x=O．317，y=0．328)。非常接近白光等能点．是色度很好的白光。并且在很大范围内，色度随器件的驱动电压或电流变化不大，当驱动电压变化至15V时。f=232mA／cm^2，色坐标变化至(x=0．338，y=O．353)。在电压为22V时，器件的亮度达到最大，为17 000cd／m^2。此外器件结构相对简单。器件制备的可重复性得到很大程度的改善。     

高色纯度有机白光电致发光器件

介绍了具有高色纯度的多层有机白光器件,器件发光的色坐标为x=0．33,y=0．34,非常接近白光等能点,是色度很好的白光器件。而且在8～14V很大的范围内,发光色度随器件的驱动电压或电流的变化不大,基本稳定在x=0．33,y=0．34。在电压为19V时,器件的亮度达到了最大9735cd／m^2,在电压为9V时,器件的效率达到了最大4．5cd／A。     

利用LiF/Al作为电极的有机电致发光器件

本文报道了利用LiF/Al作为负电极的有机电致发光器件,器件结构为ITO/TPD/Alq3/LiF/Al,LiF层的加入增强了电子注入,当其厚度为0.4nm时,器件的性能最好,与单层Al和Mg/Al电极的同类器件相比,此时器件的开启电压由Al电极时的4.3V和Mg/Al电极时的3.0V降低到了2.0V,器件的最大亮度分别由4000cd/m²、14000cd/m²提高到19600cd/m²,器件的发光效率也分别增加了5倍和2倍,达到2.66lm/W.     

Realization of Red-Organic-Light Emitting Diode by Introducing the Double Emitting Zone

A saturated red-organic-light emitting diode (OLED) has been realized by doping an emitting material both in the hole-transporting layer (HTL) and the electron-transporting layer (ETL) to form double emitting zone. The red dopant, 4-(Dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran (DCJTB), was doped into the N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPB) layer and the tris (8-quinolinolate) aluminium (Alq3) layer, both of which act as the emitting layers. The optimal device, with a structure of ITO/CuPc/NPB/NPB:DCJTB/Alq3:DCJTB/Alq3/LiF/Al, showed good chromaticity coordinates (x = 0.63,y = 0.36) at 8 V. Uniquely, the current efficiency of the device was relatively independent of the drive voltage in a wide range from 8 V to 20 V. That may be helpful to ameliorate the lifetime of the organic electrol,Jmlnescent devices and to adjust the grey-scale for the future full-colour display panel.     

Top-Emitting Organic Light-Emitting Devices Based on Silicon Substrate with High Luminance and Low Turn-on Voltage

We have fabricated a top-emitting organic light-emitting device on silicon substrate with high yellow luminance based on 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene sub-monolayer. It consists of a thin layer of highly conductive silver as the semitransparent cathode and surfaced-modified Ag as the anode. The device turns on at 3 V with the luminance of 8.4 cd/m^2. The maximum current efficiency is 1.3 cd/A at 6 V and the luminance reaches 14790 cd/m^2 at 14 V. The performance of the device is excellent in top-emitting organic light-emitting devices according to our knowledge.     

引入阱结构改善有机发光器件的效率

利用阱结构作为发光层,阱由8-羟基喹啉铝和 4,4′-N,N′–dicarbazole-biphenyl交替蒸发长成，改善了器件的效率,这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积，形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光.器件的最大电流效率在外加电压8V时达到4.1cd/A,与一般异质结器件相比效率提高了2倍多.这说明在适当阱数时用简单办法可提高器件的效率.     

采用Li3Nn型掺杂层作为电子注入层的OLED器件研究

相对于传统的无机半导体材料,有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低,从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力,对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂,以掺杂层Alq3:Li3N作为...     

一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备

采用Li3N掺杂电子注入层Alq3:Li3N,制作了一种结构为ITO/Alq3Alq3:Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极,金属Al作为顶部阳极,在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3N n型掺杂层,改善了该器件的电子注入和传输能力;在Al阳极与空穴传输层之间...     

利用电子传输层掺杂改善有机发光器件的效率

利用BCP掺杂到电子传输层Alq中,在掺杂层中阻挡了空穴的迁移,调整了空穴和电子的平衡,将激子有效地限制在发光层中发光,从而增加有机电致发光器件的效率.器件的最大电流效率在外加电压9 V时达到4.1 cd/A(掺杂浓度8%时),与一般未掺杂器件相比效率提高了2倍多.同时也减少空穴到达阴极,而减少发光淬灭.     

一种利用双发光区的有机红光电致发光器件

针对一般掺杂结构的红光有机电致发光器件效率随外加电压的增加而迅速下降。同时色度逐渐变差的特点,我们引入了在NPB层和Alq3层内同时掺杂DCJTB的具有双发光区的器件结构。制备的双发光区掺杂器件在驱动电压8—20V内发光效率只下降了4％;而色度从8V时的(x=0．6287,y=0．3663)变化到20V时的(x=0．6075,y=0．3841);器件的发光亮度从8V时的178cd／m^2变化到20V时的5962cd／m^2,具有较好的性能水平。观察到器件效率基本上不依赖于外加电压的变化而变化的特性,同时器件也保持一个比较好的色纯度,并对结果进行了分析。