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1.
Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions
Zegrya
G. G.
Ulin
V. P.
Zegrya
A. G.
Ulin
N. V.
Frayman
V. M.
Mikhailov
Yu. M.
《Technical Physics》
2021,66(2):367-367
Technical Physics - An Erratum to this paper has been published: https://doi.org/10.1134/S106378422102016X
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