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1篇
专业分类
物理学
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出版年
1988年
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1.
n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究
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吴凤美
汪春
唐杰
龚邦瑞
《物理学报》
1988,37(7):1203-1208
本文研究了1MeV中子辐照在气相外延n-GaAs有源层中深能级缺陷的特性和热退火性能。结果表明,大多数感生缺陷是与两个以上原子位移有关的缺陷。另外,当H
1
能级通火时,出现了一个新的缺陷能级E
5
(E
c
-0.73eV)。研究表明GaAs MESFET参数的变化主要是由于载流子去除。
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