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研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1-xAs(x=0.2,O.3)和3nm的Ino2Gao8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性.加InAlAs层后PL谱红移到1.33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV.高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM).对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大.这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度.同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差. 相似文献
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本文提出了建立合理动力学方程的简单、快速方法。该法首先用图解法选择可能的g(α),并根据文中公式(7)、(8)求出相应的活化能,考虑频率因子的合理性,找出最理想的转换率积分函数g(α),从而确定被研究反应的动力学方程、动力学参数及其反应机理。并用于处理了镧、镨、钕、钐水合氯化物的热分析数据,求得了各水合物不同脱水阶段的动力学方程、动力学参数和反应机理。对有关脱水过程进行了讨论。 相似文献
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Unider the condition that each of the corresponding peaks in DTA and DSC curves are completely separated, the ΔH of each stage of dehydration process of LaCl3.7H2O, PrCl3.6H2O, NdCl3.6H2O SmCl3.6H2O have been determined more accurately. Some peaks are separated for the first time and some data given have not yet been reported in literature. 相似文献