三聚氰胺/Tb3+插层的聚二炔纳米片的制备及其热致变色可逆性研究

聚二炔(PDA)是一类具有层状结构的共轭聚合物. 在插层过程中，客体组分可插入PDA的层间，形成插层结构. 在这些结构中，一部分插层复合物具有近乎完美的组装结构，并展现出完全可逆的热致变色特性. 迄今为止，已报到的具有近乎完美组装结构的PDA复合物中仅成功插入了单个客体组分. 本文选择其一侧的羧基可与Tb³⁺离子或三聚氰胺(MAs)作用的10，12-二十五烷二炔酸(PCDA)作为单体. 当PCDA，MA和Tb³⁺投料摩尔比为3:267:1时，虽然体系中存在大大过量的MA，仅有Tb³⁺离子插入了PDA层间，该复合物具有近乎完美插层结构，表现出完全可逆的热致变色特性. 当PCDA，MA和Tb³⁺投料摩尔比为3:267:0.6时，此时Tb³⁺和MAs都插入了PDA的层间，该复合物存在近乎完美的结构区域和一些不完美的缺陷区域(例如：MA插层区域以及区域-区域边界处). 因此，其仅表现出部分可逆的热致变色特性. 其近乎完美的结构区域中的共轭主链仍能可逆地恢复至其初始构象，而缺陷区域的共轭主链则很难可逆地恢复至其初始构象.     

羟基磷灰石在磺化聚醚苯并咪唑薄膜表面的生长

以聚[2,2′-(对氧基联苯)-5,5′-苯并咪唑](OPBI)及其磺化产物磺化聚[2,2′-(对氧基联苯)-5,5′-苯并咪唑](SOPBI)薄膜作为基体, 采用交替沉积和模拟体液(SBF)浸泡相结合的方法快速在薄膜表面沉积羟基磷灰石层. 采用选区电子衍射(SAED)和衰减全反射傅里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)对羟基磷灰石(HA)的晶体结构进行了分析. 用扫描电子显微镜(SEM)对整个沉积过程中羟基磷灰石的形态变化进行了跟踪. 实验结果表明, SOPBI薄膜诱导HA沉积的速率明显快于OPBI薄膜. SOPBI的磺酸基团不但提供了固定Ca²⁺的负电表面, 而且还有助于咪唑基团对Ca²⁺的固定. 而缺失磺酸基团的OPBI在不同pH值的交替沉积溶液中的电离形式阻碍了咪唑基团对Ca²⁺和HPO₄^2-的作用, 且未能在SBF浸泡过程中得到改善.