HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

改进的随机PERT下寻找关键路径的新方法

改进了随机PERT下寻找关键路径的方法.定义了随机路径时间变量的比较原则并据此确定概率关键路径;利用关于正态分布函数的不等式能对联合概率高精度估计的特性验证了概率关键指数较小时的概率关键路径的可信度;最后,实例阐明了随机关键路径方法.     

用电磁打点记时器测定电容量

测量电容量方法较多,本文介绍一种用打点记时器测量电容量的方法。这种方法能准确地测出120μF到470pF之间的电容量,装置结构简单、易于制作,作为中学生实验效果较好。