实验靶对半黑腔辐射源辐射温度的影响

间接驱动惯性约束聚变和高能量密度物理实验中使用黑腔作为强X射线辐射源,黑腔源靶的等效辐射温度受安装在辐射出口的实验用靶的影响而与单独进行辐射源特性研究时有所不同。通过对几种不同辐射输运靶对半黑腔辐射源的影响进行的实验研究发现,添加不同填充材料的输运管能够使测量到的黑腔辐射源的辐射温度升高3~8 eV。实验结果的统计显示,输运管越长,填充材料密度越大,辐射温度越高。     

C_2H_6分子电离能谱的SAC-CI计算

采用对称匹配簇组态相互作用(SAC-CI)的方法计算了乙烷分子的电离能谱,计算结果很好地与乙烷分子价壳层的实验电离能谱符合,在内价壳层能区内,理论结果预测了3个主要的伴线带,其中能量较低的伴线带可以被描述为单电子电离过程2a_(1g)~(-1)和双电子振激过程1e_g~(-2)4d_(1g)的混合;而能量较高的两个伴线带则分别由数个双电子振激过程形成.     

C2H6分子电离能谱的SAC-CI计算

采用对称匹配簇组态相互作用(SAC-CI)的方法计算了乙烷分子的电离能谱，计算结果很好地与乙烷分子价壳层的实验电离能谱符合．在内价壳层能区内，理论结果预测了3个主要的伴线带．其中能量较低的伴线带可以被描述为单电子电离过程2a1g-1和双电子振激过程1eg-24a1g的混合；而能量较高的两个伴线带则分别由数个双电子振激过程形成．     

基于X射线荧光光谱的温稠密物质离化分布实验方法研究

受温度及密度等环境效应影响,温稠密物质的电子结构发生显著变化,其理论描述非常复杂,精密实验测量亦极其困难.本文发展了基于X射线荧光光谱研究温稠密物质离化分布的实验方法,结合理论研究有助于深入理解温稠密物质的电子结构变化.在万焦耳激光装置上,设计特殊构型黑腔复合加载产生数十eV、近固体密度的稠密Ti物质,利用激光辐照V产生的热发射线泵浦Ti的荧光,并采用晶体谱仪诊断样品的X射线荧光光谱.实验中获得冷样品和加载样品的荧光光谱,观测到加载样品K_α及K_β荧光谱线相对于冷样品光谱在高能侧的显著变化,结合理论计算解释了加载样品荧光谱线的变化主要来源于其温度上升后离化分布的改变,建立了基于X射线荧光光谱的温稠密物质离化分布实验研究能力.