立方Gd2O3∶Eu纳米晶及光谱性质

用透射电镜拍摄球形ＣＧｄ２Ｏ３∶Ｅｕ纳米晶,并研究了室温下它的激发和发射光谱。结果表明,９００℃制备的体材料和相应的纳米晶相比,其激发光谱存在明显差异。前者以基质激发带为主导,电荷转移带（ＣＴＢ）很弱,而后者以ＣＴＢ为主。在绝缘体稀土氧化物中,可以忽略纳米效应对Ｅｕ３＋离子的４ｆ４ｆ能级跃迁的激发和发射光谱峰位的影响     

Gd2O3：Fu纳米荧光体的晶体结构和相变

首次报告Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米荧光体的晶体结构和相变，由Ｘ射线衍射检测结果，Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米荧光体存在的体心立方和单斜多型结构，和体材料的相变温度１２５０℃相比。Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米晶由立方到单斜相变温度或高到１３００和１３５０℃之间，这一结果也从Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米荧光体的荧光光谱变化得到证实。     

Gd_2O_3: Eu纳米荧光体的晶体结构和相变

首次报告Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米荧光体的晶体结构和相变．由Ｘ射线衍射检测结果，Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米荧光体存在体心立方和单斜多型结构．和体材料的相变温度１２５０℃相比，Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米晶由立方到单斜相变温度升高到１３００和１３５０℃之间．这一结果也从Ｇｄ２Ｏ３Ｅｕ纳米荧光体的荧光光谱变化得到证实．     

立方Gd2O3：Eu纳米晶及光谱性质

用透射电镜拍摄球形Ｃ－Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ纳米晶,并研究了室８温下它的激发和发射光谱。结果表明,９００℃制备的体材料和相应的纳米晶相比,其激发光谱存在明显差异。前者以基质激发带为主导,电荷转移带很弱,而后者以ＣＴＢ为主。在绝缘体稀土氧化物中,可以忽略纳米效应对Ｅｕ＾３＋离子的４ｆ－４ｆ能级跃迁的激发和发射光谱峰位的影响。