半导体激光泵浦的外腔YAG激光器国内首次运转

中国科学院上海光学精密机械研究所“激光技术开放研究实验室”于1991年7月8日采用本所“半导体光电子学实验室”研制的一维锁相列阵半导体激光器泵浦外腔YAG激光器获得1.064μm激光输出。外腔结构的实验成功为进一步研究和发展半导体激光泵浦的固体激光器打下了基础。 对于半导体激光泵浦的YAG激光器,为了减少激光腔内的损耗,从而降低激光阈值,国内外在研究初期都采用全内腔的单块(monothic)YAG激光器,随着腔内倍频和增大激光输出等研究的发展和需要,又发展为外腔方式。     

窄线宽单纵模沟槽衬底平面条形(AlGa)As激光器的研制及其线宽分析

本文报道了我们所研制的沟槽衬底平面条形(CSP)铝镓砷((AlGa)As)单模激光器,能以单纵模稳定工作,△v<5MHz,并从理论上定性分析了半导体激光器线宽变宽的机理,提出了进一步压窄线宽的方法.