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二维半导体材料的天然带隙有望弥补石墨烯的零带隙缺陷，打破后者在场效应晶体管、开关器件、逻辑电路等领域的应用瓶颈.相较于层状半导体材料，非层状半导体材料多以较强的离子键/共价键结合，且各向同性，因此要获取其二维结构存在一定挑战.本论文通过化学气相沉积法实现了非层状Cd Se在云母衬底上的二维各向异性生长.详细表征了二维Cd Se的微观形貌、晶体结构和光学特性等.结果表明，样品具有显著的光致发光(PL)效应，说明厚度减薄至纳米级时不会破坏Cd Se的直接带隙属性.此外，随着厚度减小，样品的PL峰逐渐蓝移.为了进一步解释该现象，采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了不同厚度的Cd Se的能带结构，结果显示均为直接带隙，且随厚度减小，带隙值增大，与实验现象吻合.由此可知，通过生长参数调控二维Cd Se的厚度，即可实现对其带隙的有效调控，这对相关光电器件的性能提升具有指导意义. 相似文献
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