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报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV,其相对位移约为01 eV.
关键词:
Ge
Ru表面
生长
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