万有引力恒量测定法

宇宙一切物质之间都广泛存在着一种无形锁链——万有引力。它是牛顿1687年发现的,发表了有名的万有引力定律——“任何两个质量都彼此吸引,吸引力与两质量之乘积成正比,与两质量间的距离之平方成反比”。     

国外离子交换技术发展的某些概况

离子交换树脂虽然是一种不溶于水的高分子聚合物,但在使用中,它们的活性基团仍有极微量要脱落下来,在温度较高时更为明显。强酸阳树脂磺酸基团的脱落,造成出水中硫酸根含量增高。超临界锅炉、核电站、电子工业等都要求水中硫酸根含量不超过1～2     

氧化锌薄膜的缺陷发光和它作为白光光源的潜在应用

ZnO发光二极管(LEDs)在照明应用方面有着巨大的潜力。需要解决的主要问题是光的产生和对辐射的控制,这个问题来自LED波长的变化和组合。发现缺陷发光的ZnO有着各种波长范围,适合LED在白光产生方面的应用。同时展示了在实验和理论上可以用于ZnO系统的缺陷辐射。这种类型的缺陷相较于传统的掺杂材料和其他材料,其优点在于不需要广泛和昂贵的生产系统。不仅提出了ZnO薄膜在白色平面LED光源本征缺陷发光的潜在应用,同时也利用一些方法一个特定的中心位置和ZnO薄膜在初期发射谱带的宽分布来控制缺陷的产生。根据不同的制备方法和特定的实验条件,不同的白色,如稍白色和青白色等原本的和重要的颜色-蓝光波段(455, 458 nm),绿光波段(517, 548 nm),红光波段(613, 569 nm)分别被获得。从而说明了这是一种制作白光LED更好的办法-利用ZnO材料。在对ZnO薄膜电学性质的调查研究中,通过薄膜表面的额电子插入和正离子的湮灭已经证明了的观点,随着质子的植入、正离子的湮没、电子的插入和ZnO表面的电学性质的研究,表述结果被进一步的证实。研究人员对单晶ZnO的已经有了一定的研究,PL质子植入ZnO以后呈现橘红色,并且在700 ℃退火后仍然存在,清楚的可以看出PL缺陷的存在。在植入粒子方面最近的文章也有报道,例如在ZnO缺陷表层中注入离子和电子来改变PL性能。V_Zn也发现了氧化锌薄膜的主要缺陷之一是正电子湮没,同样的,Vlasenko和Watkins也发现了氧化锌表面由于电子辐射产生的缺陷。导致绿色透光率的减少,增加PL致600～700 nm。之后分析和解释ZnO薄膜电阻率的缺陷。由霍尔系数的迹象表明ZnO表现为N型传导,这样做的原因是因为把V_O和Zn原子联系在一起,使Zn具有较低的电阻率。试验中氧气退货可以增加ZnO的电阻率,其电阻率的增加是由于V_O的减少。另外,在200 ℃条件下准备的样品导电率很低,说明了V_O的作用很大。退火氧化锌薄膜电导率下降表明, 看到了主要的缺陷。