用反型层模型探讨n—Ge中的常温反常霍耳效应

本文用反型层模型,对常温下n-Ge中的反常霍耳效应进行了理论上的定量计算,取得了与实验一致的结果。 关键词：     

p型热缺陷补偿的n-Ge在室温下的反常Hall效应和反常电导效应

关于n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,至今尚未得到解决.我们用热处理的方法,对n-Ge样品进行了p型热缺陷的补偿.实验结果发现,补偿前样品呈正常Hall效应和电导效应,补偿后则变为室温下的反常Hall和反常电导效应.我们围绕这一变化进行了实验和理论研究工作,从这些工作中得出,n-Ge室温下的反常Hall效应产生的机理,是在样品中形成了反型层结构.     

n-Ge常温反常Hall效应机理实验

自常温反常电磁特性发现以来,人们用反型层模型对常温反常Hall效应进行了成功的理论探讨,但至今这种模型还未得到实验的验证。本文将报道我们在这方面的工作。     

用电子运动定性解释p型半导体中的霍尔效应

如图1所示,一块半导体样品当沿X方向通以电流I,沿Z方向加以磁场B,在Y方向则产生一霍尔电场EH,这种现象称为霍尔效应.实验表明,在图1所示样品电流I和磁场B的情况下,n型半导体样品(图 1a)所产生的霍尔电场 EH指向负Y方向,而p型样品(图1b)所产生的霍尔电场EH则指向正Y方向,二者正好相反.为了表示这个差别.将p型半导体样品的霍尔系数R定为正值,而n型样品的霍尔系数R则定为负值. 目前各种书上对n型和p型半导体霍尔效应的定性解释都是这样的,n型样品载流子是电子.如图 Za所示,当沿正 X方向通以电流人沿正z方向加以磁场B时.电子在洛仑兹力 …     

Mg8Sn4-xMx结构稳定性与弹性常数的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的CASTEP软件构建Mg₈Sn_4-xM_x(M=Al、Cu;x=0、1或2)晶体结构模型，采用第一性原理计算其晶格常数、结构稳定性和弹性常数，并分析不同量的M原子固溶于Mg₂Sn后体系的电子特性、弹性性能和本征硬度.计算结果表明，M原子能自发固溶于Mg₂Sn相，且所得Mg₈Sn_4-xM_x(x=1或2)晶体结构均可稳定存在；当2个M原子固溶于Mg₂Sn时，使其晶体结构由立方晶系转变为四方晶系.态密度分析表明，M原子固溶后体系原子存在明显轨道杂化现象，表现出较强的共价键，增加M原子固溶量不会改变各原子对态密度的贡献规律，但会提高该原子对电子对态密度的贡献度.弹性性能和本征硬度分析表明：Mg₂Sn中固溶M原子后，体系力学性能仍稳定，增加M原子固溶量，体系硬度逐渐降低，韧塑性不断提高，即M原子固溶量增加能提升体系的...