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在CCSD(T)//B3LYP/6-311++G(d,p)理论水平上研究了基态α-环己二酮(α-CHD)到环戊酮(c-C5H8O)和一氧化碳(CO)的光解离反应势能面(PES),并计算了沿反应路径各环状异构体的红外光谱。从过渡态的相对能量、高能势垒的数目两个方面,并结合红外光谱研究结果确定了α-CHD→c-C5H8O+CO的最优光解离路径。对其势能面上的环状异构体进行了红外光谱分析,给出各异构体的振动频率、振动强度和主要的振动模式,与实验结果吻合较好。计算结果为基态α-CHD提出了一条新的最优解离路径,同时丰富了其环状异构体的光谱信息。 相似文献
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层状陶瓷材料的电磁屏蔽效能对结构功能一体化层状陶瓷材料的设计具有重要影响。采用流延法与化学气相渗透(chemical vapor infiltration,CVI)工艺相结合制备SiC_w/Si C层状陶瓷,研究碳化硅颗粒(Si C particle,SiCp)、氮化硅颗粒(Si_3N_4particle,Si_3N_4p)对SiC_w/Si C层状陶瓷电磁屏蔽性能的影响。结果表明:SiC_w/Si C层状陶瓷具有较高的电磁屏蔽性能,颗粒的加入有助于提高层状陶瓷的电磁屏蔽性能。颗粒粒径越小,材料的电磁屏蔽性能越好;并且SiCp的电磁屏蔽作用强于Si_3N_4p。 相似文献
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B_4C是继金刚石和立方氮化硼之后自然界中第三硬的超硬材料。然而人们在硬度方面对它的应用却很少。这主要是因为B_4C的自扩散系数很低,很难合成出块体材料的B_4C;其次,B_4C的断裂韧性很低,达不到工业应用的标准,在工业应用中容易出现碎裂。本篇文章利用高温高压法合成了块体材料的B_4C,并且合成的材料具有非常高的致密性。通过硬度测试发现其硬度高于材料的单晶硬度值。利用压痕法测量了样品的断裂韧性,其断裂韧性为4.51 MPa·m~(1/2),这一数值基本接近了工业应用的标准。通过扫面电镜测试发现其具有纳米层状结构。通过原理分析可知,纳米片层结构是导致B_4C具有高硬度和高断裂韧性的原因。 相似文献
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