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物理学
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2013年
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1.
碳纳米片-碳纳米管复合材料的一步合成及其场 发射性质研究
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胡小颖
王淑敏
裴艳慧
田宏伟
朱品文
《物理学报》
2013,62(3):38101-038101
利用等离子体化学气相沉积技术, 在引入Ti过渡层后的Co膜表面一步制备出碳纳米片-碳纳米管复合材料, 研究了Co膜厚度对复合材料形貌及场发射性质的影响. 当Co薄膜厚度为11 nm时, 得到了垂直基片定向生长的碳纳米管和碳纳米片复合物, 此时, 碳纳米片分布在碳纳米管的管壁上和管的顶端, 样品的场发射性能最佳.
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