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1.
外量子效率高达27%、几何形状简单(划成矩形方块)的新型发光二极管已研制成功。二极管所用材料是采用一次多片液相外延技术制得的,此材料中的Al组份有一很大的梯度。除去GaAs衬底,就可以利用这个梯度,使光子沿着吸收非常低的路经,从外延层开始生长这边射出。这种发光二极管的光谱分布可以在很大的范围内变化。加速老化研究表明,这种二极管具有很高的可靠性。  相似文献   
2.
——在GaAs:Si—GaAsP异质结基片上涂复NaYF_4:Yb,Er磷光体,已经研制出具有多色性能的发光二极管。这种双结单个管芯的发光二极管,其绿光和红光强度具有中心对称分布。调整磷光体厚度,可以得到介于绿光和红光之间的中间光色。在电流密度30A/cm~2的情况下,每种颜色光的亮度都高于100 fL,绿光的功率转换效率为 2—3×10~(-4)。对于单个GaAs:Si发光二极管,由于红外光在 GaAsP层中的折射,在20A/cm~2时,亮度低于250fL。  相似文献   
3.
近几年,关于半导体发光器件的技术已稳固建立。一些分立的器件和简单的数码管已广泛应用于工业和军事上的显示。还正在开展用这种技术制备比较复杂的显示器。特别是制备那种要求可靠性高,寿命长和驱动电压低的显示器。最常用的显示材料是发红光的GaAsP和GaP。前者,由于它既适合于平面工艺而又具有高自吸收系数,因而用不同复杂的光学隔离工序便可制备成单片的,高分辨的显示器,所以已比较广泛地用它来制备复杂的阵列。 引进发黄色和绿色光的Ⅲ—Ⅴ族化合物材料,大大扩展了可用发光二极管显示的范围。  相似文献   
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