热学

正出版社:科学出版社简介:本书是编者基于多年的"热学"课程教学实践经验编撰而成。本书从高等教育人才培养的总体要求出发,以培养高等院校学生的专业素质和能力为目标,基于国内教材讲授的传统内容,汲取美国与欧洲教材新颖灵活、切合实际等优点,对内     

远红外光区域的单层光栅结构宽带滤波器的设计

在基底层厚度固定的情况下, 通过采用基于全局搜索的遗传算法可以在远红外光区域来设计单层光栅的结构参数, 从而获得所需要的宽带滤波器。结果表明, 该滤波器在较宽的光谱范围内具有相对稳定而且很高的反射率值。     

多极矩分析的教与学探讨

多极矩展开是一种重要的分析方法，由静态电磁场多极矩展开得到的电多极子和磁多极子是基础而重要的物理模型.多极矩展开表示方法、多极子模型与多极子以及电磁场相互作用是多极矩分析教学的核心内容.本文从上述三个方面展开探讨：给出静态电场和静态磁场的内部和外部多极展开；讨论多极矩展开的不同表示的关系；强调多极子是基于远源处电磁势对源进行的等效点源替代；最后，从受力与力矩方面考察电多极子和磁多极子与外电磁场的相互作用.     

介质光栅导模共振耦合波分析

导模共振是由于光栅介质内高级次子波耦合进光栅所支持的泄漏模中,导致传播波能量重新分布的结果.采用严格的耦合波方法,通过分析波导的导波模式,正确估计出弱调制介质光栅导模共振的位置.并对导模共振与光栅厚度、基底厚度以及入射角的关系作了讨论.通过采用抗反射设计,获得了具有对称、低旁带特点的窄带共振峰 关键词： 导模共振 耦合波     

静磁外部球谐多极矩展开

本文讨论静磁球谐多极矩展开,包括静磁标势和静磁矢势的外部球谐多极矩展开.在磁矢势外部球谐多极矩分析中介绍了两种不同的方法,方法一基于磁标势外部球谐多极矩展开求惯用磁矢势外部球谐多极矩展开,方法二从电流对远源场点磁矢势场贡献出发借助德拜势直接求得静磁矢势外部球谐多极矩展开的惯用表示.     

Synthesis and thermoelectric properties of Bi-doped SnSe thin films

Bi doped n-type SnSe thin films were prepared by chemical vapor deposition (CVD) and their structure and thermoelectric properties were studied. The x-ray diffraction patterns, x-ray photoelectron spectroscopy, and microscopic images show that the prepared SnSe thin films were composed of pure SnSe crystals. The Seebeck coefficients of the Bi-doped SnSe were greatly improved compared to that of undoped SnSe thin films. Specifically, Sn_0.99Bi_0.01Se thin film exhibited a Seebeck coefficient of -905.8μV·K^-1 at 600 K, much higher than 285.5 μV·K^-1 of undoped SnSe thin film. Further first-principles calculations reveal that the enhancement of the thermoelectric properties can be explained mainly by the Fermi level lifting and the carrier pockets increasing near the Fermi level due to Bi doping in the SnSe samples. Our results suggest the potentials of the Bi-doped SnSe thin films in thermoelectric applications.