环戊基全取代六元瓜环与钾离子配合物的合成及其结构表征

金属与瓜环的配位化学是瓜环化学的主要研究内容之一.本文主要研究了环戊基全取代六元瓜环(CyP6 Q[6])与K+的配合物的合成,并利用X-射线单晶衍射法对其晶体结构进行了表征.结果表明:K+与CyP6 Q[6]的两个端口配位,形成了分子胶囊结构.相邻的瓜环通过与[ZnCl4]2-的偶极作用,形成平面堆积结构,最后形成三维超分子自组装实体.     

AgSnO2触头材料在Ni-S共掺杂下的第一原理性计算

该研究采用掺杂的方式对SnO₂的导电性能进行改良,基于密度泛函理论的第一性原理,运用CASTEP软件对单掺杂Ni-SnO₂、S-SnO₂和共掺杂Ni-S-SnO₂的晶格参数、能带结构、电子态密度进行了计算,并对其电荷布居进行了分析.结果表明：S单掺杂时,晶胞体积略微增大;Ni单掺杂时,晶胞体积略微减小;而Ni-S共掺杂时,晶胞体积略微增大但增大幅度小于S单掺杂时的晶胞体积.与未掺杂相比,掺杂使得晶胞禁带减小、杂质能级增多、电子跃迁能减小,使其导电性增强,同时,掺杂使得费米能级附近峰值减小,局域性下降,原子间成键更强,材料更稳定.     

高温高压氢混合物状态方程测量方法开发

本文开发了测量高温高压H_2-CO_2-H_2O混合物状态方程的定容-膨胀组合法,温度和压力的测量范围可达到650℃、22 MPa。采用定容过程可实现混合物温度和压力变化的快速测量,采用多次膨胀过程可测量工质质量。本方法可避免高温下氢气渗漏,准确测定工质质量。不确定度分析结果表明,温度、压力、密度测量的不确定度分别不超过10mK、0.9%和0.5%。     

Ni-Ge共掺杂下对AgSnO2触头材料性能的第一性原理分析

AgSnO₂触头材料是一种环保型低压触头材料,由于具备良好的耐电弧以及抗熔化焊能力,广泛适用于接触器,继电器以及低电压断路器中.采用金属元素Ni与Ge共掺杂的方式对SnO₂的导电性能进行改良.运用CASTEP软件对元素掺杂前后的SnO₂各项性能进行了仿真试验.结果表明：金属元素Ni与Ge单掺杂和共掺杂与本征SnO₂相比,其禁带宽度均会有不同程度的减小,其中Ni-Ge两种元素共掺杂时的禁带宽度值最小,这就表示电子可以更加容易的进行跃迁,其导电性也最好;由弹性常数分析可知,金属元素Ni-Ge共掺杂时材料的弹性最弱,韧性最强.     

利用电荷-电压李萨如图形法测量介质阻挡放电参量

采用电荷-电压李萨如图形法，设计了大气压介质阻挡放电参量测量实验装置.利用Matlab GUI编写了计算软件，可实现实验数据的快速处理.利用该装置测量了电源频率为4.5～9.0 kHz时介质等效电容、气隙等效电容和放电功率等参量，测量结果表明：电源频率为5.75 kHz时，介质等效电容最高；电源频率为5.5 kHz时，气隙等效电容最低；电源频率为5.0 kHz时，放电功率最高.