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“调零”是测试过程不可或缺的一个环节.从桥路调零的原理出发,对传感器中的电桥测试系统的“调零”能力进行了深入的理论分析,指出了制约“调零”能力的因素以及在“调零”操作中应当注意的问题. 相似文献
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通过X射线衍射手段研究了Tm2CrFe14.5 Si1.5化合物的热膨胀性质及本征磁致伸缩性质.研究结果表明,Tm2CrFe14.5Si1.5化合物在303～623 K范围内,具有单相的Th2Ni17型结构;Tm2CrFe14.5Si1.5化合物的居里温度约为453 K,比其母合金Tm2 Fe17高约163 K;沿a轴方向上,Tm2CrFe 14.5 Si1.5化合物在423～448 K温度范围内出现负热膨胀现象,其热膨胀系数(α)a为-0.716×10-5/K;沿c轴方向上,在303～398 K温度范围内也出现负热膨胀现象,其热膨胀系数(α)c为-0.547×10-5/K.两者综合的结果使得在423～448 K温度范围内,Tm2CrFe14.5Si1.5化合物的体热膨胀系数(α)为-0.794 × 10-5/K.对本征磁致伸缩的研究结果表明,Tm2CrFe14.5 Si1.5化合物中存在着较强的各向异性的本征磁致伸缩. 相似文献
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